技术论文题为“高纵横比的内联计量孔倾斜和中心线用小角x射线散射”转变是力量Nano和林的研究人员发布的研究。
文摘:
“高纵横比(HAR)结构在三维nand内存结构具有独特的过程控制的挑战。用于制造的腐蚀通道孔比例超出50:1几个微米深的方面是一个特别具有挑战性的过程,要求精致准确和精确控制。关键是仔细分析腐蚀过程的多个方面,如孔剖面、倾斜,在开发和生产一致性和质量。x射线临界尺寸(XCD)计量,也称为临界尺寸小角x射线散射,是一个功能强大的技术,可以提供宝贵的见解的安排,形状和大小的周期阵列哈尔特征。XCD能够快速、非破坏性测量生产晶圆的芯片面积,从而使XCD适合在线计量。通过几个案例研究中,我们将说明XCD可以用来精确地确定蚀刻孔硬掩模的关键属性,多层氧化氮化/电影栈和壕沟。我们表明,测量孔和缝倾斜的援助就能达到结构模型使用一个快速方法提供事实上倾斜。测量进行了跨多个生产晶片来确定腐蚀均匀性和质量。特别注意在晶圆边缘的占大变化。此外,我们使用一个详细的物理模型来描述以外的HAR结构线性倾斜。 This approach provides a more complete picture of the etch quality.”
找到这里的技术论文。2023年3月出版。
彼得杜松子酒,马修·Wormington Yehonatan Amasay, Inbar格林贝格,亚历山大·布雷迪以色列Reichental,凯文•马特尼金,和奥斯曼Sorkhabi“内联计量高纵横比的孔倾斜和中心线用小角x射线散射转变,“微杂志/ Nanopatterning,材料,和计量22(3),031205(2023年3月22日)。https://doi.org/10.1117/1.JMM.22.3.031205。
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