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标签:3 d DRAM

设备和晶体管在接下来的75年里
通过劳拉·彼得斯2023年2月- 16(-评论:0

75周年晶体管的发明引发了一场生动的小组讨论在IEDM,刺激讨论未来的CMOS, III-V和二维材料的作用在未来的晶体管,以及将成为下一个巨大的内存架构。[1]行业老兵的记忆,逻辑,和研究社区看到high-NA EUV生产、NAND闪存1000层,混合好…»阅读更多

晶片清洗成为制造业的关键挑战的3 d结构
通过阿黛尔神秘圣地10月- 20,2022 -评论:0

晶片清洗一次,而平凡的任务那么简单清洁液浸渍晶片,正成为最高的一个主要生产棉酚场效应晶体管和3 d-ics工程挑战。与这些新的3 d结构——在地平线上,但一些已经在大批量制造半导体晶片设备和材料供应商在湿法净化行业处于震中……»阅读更多

周评:制造、测试
通过琳达·克里斯坦森——4月15日,2022 -评论:0

光子芯片在欧洲大PhotonDelta,协作应用程序的端到端供应链光子芯片,获得€11亿条件对六年计划的资助。投资从荷兰政府和其他组织”将用于建造200创业,扩大生产规模,为光子芯片,创建新的应用程序和开发基础设施…»阅读更多

比赛更先进的包装
通过马克LaPedus——7月23日,2020 -评论:2

动量是建筑铜混合成键,对下一代技术,铺平了道路2.5 d和3 d包。厂、设备供应商、研发组织和其他正在开发铜混合成键,这是一个过程,堆栈和债券死在先进的包使用copper-to-copper互联。包装还在研发、混合粘结提供了莫…»阅读更多

下一代的竞赛2.5 d / 3 d包
通过马克LaPedus- 9月23日,2019 -评论:4

几家公司相互赛车发展的一个新类2.5 d和3 d包基于各种下一代互联技术。英特尔、台积电等正在研究或开发未来包基于一个新兴互连方案,称为copper-to-copper混合成键。这种技术提供了一种方法栈先进模具使用铜连接芯片级,…»阅读更多

DRAM的下一步计划是什么?
通过马克LaPedus2月24日,2016 -评论:2

DRAM行业一直是具有挑战性的。多年来,DRAM供应商经历了一个繁荣与萧条的循环次数竞争格局。但是现在,这个行业面临着一个多云的,如果没有一个不确定的未来。在一个方面,例如,[getkc id = " 93 " kc_name = " DRAM "]供应商面临衰退之际,2016年的产能过剩和产品价格下降。尽管业务查尔……»阅读更多

内部的平面和三维DRAM指南
通过马克LaPedus- 2月18日,2016 -评论:0

半导体工程坐下来讨论平面达利克,3 d达利克,缩放和查尔斯Slayman系统设计,工程技术主管在网络设备巨头思科系统。以下是摘录的谈话。SE:什么类型的DRAM做网络设备厂商看或者买这些天?Slayman:当我们看DRAM,我们看它对网络applicatio……»阅读更多

在5 g智能手机
通过马克LaPedus8月- 20,2015 -评论:3

在手机业务放缓,市场升温,也许下一个大事件在wireless-5th代移动网络或5 g。事实上,主要运营商,芯片制造商和电信设备供应商都急于得到一块5 g的行动,这是当前无线标准的后续称为4 g或长期演进(LTE)。英特尔、三星和Qualcom……»阅读更多

7和5 nm会是什么样子?
通过马克LaPedus——7月23日,2015 -评论:0

以各式各样的秘密制造问题为由,英特尔推出7月10 nm芯片和过程技术的引入2017年下半年。这是大约6个月或者更多,比预期晚。延迟10 nm, [getentity id = " 22846 " e_name =“英特尔”)也推出其过程节奏从2到2.5年。与此同时,其他铸造厂正在努力保持…»阅读更多

下一个记忆是什么?
通过马克LaPedus8月- 14,2014 -评论:4

苹果、三星和其他智能手机和平板电脑的发展下一波。oem厂商想要集成新的记忆计划提供更多的带宽较低的权力。但也有一些挑战竞技场提示内存制造商重新思考他们的移动DRAM路线图。传统智慧是,内存制造商将船移动后发基于新的LPDDR4界面站…»阅读更多

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