一个新的技术论文题为“气急败坏的说l10-FePd及其合成反铁磁性物质在Si /二氧化矽晶圆可伸缩的自旋电子学”是由明尼苏达大学的研究人员发表和NIST,由美国国防部高级研究计划局资助等。
根据明尼苏达大学的总结新闻文章“行业标准自旋电子材料,钴铁硼,已经到了一个极限的可伸缩性。研究人员规避这个问题,表明铁钯,另一种材料,需要更少的能源和有潜力数据存储,可以按比例缩小尺寸小得多。”
文摘
“作为一个有前途的替代主流CoFeB /分别以系统与界面垂直磁各向异性(PMA),l10-FePd及其合成反铁磁性物质(SAF)结构与大型水晶PMA可以支持自旋电子元件有足够的热稳定性在sub-5纳米大小。然而,准备的兼容性要求l10在Si / SiO -FePd薄膜2晶片仍未满足的。在本文中,高质量的l10-FePd及其SAF Si / SiO2晶圆是由非晶态SiO涂层2表面有一个分别以(001)种子层。准备的l10-FePd单层和SAF堆栈高度(001)变形,表现出强大的PMA,低阻尼和相当大的层间交换耦合。系统的特征,包括先进的x射线衍射测量和原子resolution-scanning透射电子显微镜,进行解释的杰出表现l10-FePd层。fully-epitaxial增长,从采用种子层,引起的(001)质地l10-FePd,延伸通过SAF隔离观察。这项研究使可伸缩的自旋电子学的视觉更实际。”
找到开放获取这里的技术论文。2023年2月出版。
律、Deyuan Jenae e·苏泊Dingbin黄,哈维尔·加西亚高Barriocanal气,杰弗里·a·罗哈斯et al。”威廉•Echtenkamp气急败坏的L10 FePd及其应承担的合成反铁磁性物质在Si /二氧化矽晶圆可伸缩的自旋电子学。“先进功能材料(2023):2214201。https://doi.org/10.1002/adfm.202214201。
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