研究部分:5月10日


增长2 d TMD在芯片从麻省理工学院(MIT)研究人员,橡树岭国家实验室,和爱立信研究发现一种“长出”层的二维过渡金属dichalcogenide (TMD)直接材料完全捏造硅芯片之上,他们说可以使密集的技术集成。研究人员关注二硫化钼,f……»阅读更多

使用域Wall-Magnetic隧道结磁模拟的可行性可寻址的记忆


新技术论文题为“域Wall-Magnetic隧道结模拟使用当前和预计的内容可寻址内存数据”发表了UT奥斯汀和三星先进技术研究院的研究人员(我们)。文摘”的内存计算架构减少compute-memory瓶颈,模拟和数字转换之间的新瓶颈存在……»阅读更多

自旋电子学的新制造过程,允许按比例缩小Sub-5nm(美国明尼苏达州/ NIST)


一个新的技术论文题为“气急败坏的L10-FePd及其合成反铁磁性物质在Si /二氧化矽晶圆可伸缩的自旋电子学”是由明尼苏达大学的研究人员发表和NIST,由美国国防部高级研究计划局资助等。根据明尼苏达大学总结新闻文章,“行业标准自旋电子材料,钴铁硼,已经到了一个极限的可伸缩性。…»阅读更多

声子和Magnonic 1 d MoI3纳米线的属性


一个新的技术论文题为“在MoI3维元素激发态范德瓦耳斯纳米线”被NIST的研究人员发表,加州大学河滨分校,乔治亚大学,泰斯研究公司和斯坦福大学。“我们这里描述晶体的基本作用就是secu * tanu减去vdW MoI3一个[范德瓦耳斯]true-1D晶体结构的材料。我们的测量显示异常建立……»阅读更多

3 d赛道内存设备(马克斯·普朗克)


新技术论文题为“立体赛道内存设备从独立磁异质结构设计”研究人员发表的哈莉·马克斯普朗克微结构物理研究所、德国。“磁赛道记忆编码数据在一系列的磁畴壁电流脉冲沿着磁纳米线所感动。迄今为止,大多数研究的热点…»阅读更多

研究部分:8月8日


超速NVM加密来自北卡罗莱纳州立大学的研究人员提出一种加速加密和文件系统性能的非易失性内存(NVM)。“NVMs是一个新兴的技术,允许快速访问数据,并保留数据即使系统崩溃或失去权力,“银行Awad说,电气和计算机工程助理教授在北C…»阅读更多

在室温下控制自旋电流的新方法


新技术论文题为“旋转操纵被巨型valley-Zeeman在手性在原子WSe2。”来自北京航空航天大学的研究人员(中国)和英属哥伦比亚大学。文摘:“来自旋轨道耦合现象提供了节能策略旋转操作和设备的应用程序。破碎的镜面对称界面,结果……»阅读更多

3新兴技术:记忆电阻器、自旋电子学和二维材料


新技术论文题为“记忆性、自旋电子和2 d-materials-based设备改进和补充计算硬件”来自伦敦大学学院的研究人员和剑桥大学。抽象”在数据驱动的经济中,几乎所有的行业受益于信息technology-powerful计算系统的进步至关重要的快速技术公关……»阅读更多

神经形态计算:挑战、机遇包括材料、算法、设备和道德


这个新的研究论文题为“2022路线图神经形态计算和工程”是由许多丹麦技术大学的研究人员,学院Microelectronica de塞维利亚CSIC,塞维利亚大学和许多其他人。部分摘要:“本路线图的目的是提出一个快照的神经形态技术的现状,并提供一个意见chall……»阅读更多

小说自旋电子Neuro-mimetic设备模拟生活神经元动力学w /高能源效率和紧凑的足迹


新技术论文题为“噪音弹性漏integrate-and-fire神经元基于多域自旋电子元件”来自普渡大学的研究人员。抽象”可以有效地模拟神经功能在硬件构建神经形态计算系统是至关重要的。在各种类型的neuro-mimetic设备进行了调查,仍然是具有挑战性的……»阅读更多

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