3 d NAND;RISC-V;CXL;量子毫升;TinyML内存;类似光刻;硬件木马;二维材料;纳米级MOS晶体管的辐射;14个纠缠光子
半导体工程的新技术论文图书馆这个星期。
| 技术论文 | 研究机构 |
|---|---|
| 三维NAND中比特单元的堆叠和缩小对其阈值电压的影响 | 成均馆大学、高丽大学 |
| RISC-V上的静态硬件分区——缺点、限制和展望 | 应用科学技术大学(雷根斯堡，德国)和西门子公司-企业研究 |
| TPP:支持cxl的分层内存的透明页面放置 | 密歇根大学和Meta公司 |
| 基于少量训练数据的量子机器学习泛化 | 慕尼黑工业大学、慕尼黑量子科学与技术中心(MCQST)、加州理工学院和洛斯阿拉莫斯国家实验室 |
| 从单个原子有效生成纠缠多光子图态 | 马克斯·普朗克量子光学研究所 |
| 用于资源受限TinyML应用程序的内存中像素处理范式 | 南加州大学(USC) |
| 通过机器学习实现物质波光刻的真实掩模生成 | 卑尔根大学(挪威) |
| 自动硬件木马插入使用机器学习 | 佛罗里达大学和斯坦福大学 |
| 基于二维材料的新兴可重构电子器件综述 | 德累斯顿工业大学，NaMLAb gGmbH，亚琛工业大学 |
| 尺寸缩放和器件结构对纳米级MOS晶体管辐射响应的影响 | 范德比尔特大学，田纳西州纳什维尔。这项工作得到了国防威胁减少局、美国空军科学研究办公室和空军研究实验室的部分支持 |
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