ReRAMs硅为硅的兼容性

通过凯瑟琳德比郡4月- 20,2023 -评论:0

对于这样一个关键材料、硅氧化物还不是特别清楚。半导体行业当然知道如何种植高品质的氧化物具有高击穿电压,但在不太理想的情况下,会发生什么?微观结构的引入是干什么的?如果有地区富氧或富含硅元素相对于化学计量二氧化硅成分,如何t…»阅读更多

氮化硅/氧化硅的选择性蚀刻使用ClF3 / H2远程等离子体

通过技术论文链接——4月18日,2022 -评论:0

韩国成均馆大学的研究人员,麻省理工学院和其他存在选择性蚀刻的选择。抽象的“精确和选择性去除氮化硅(SiNx) /氧化硅氧化物(SiOy) /氮化栈是当前三维的关键,而闪存制造工艺类型。在这项研究中,快速和选择性等向性蚀刻SiNx在SiOy室内外……»阅读更多

通过安Mutschler- 7月15日,2014 -评论:0

氧化硅的记忆由于细化,使制造商制造设备与传统生产方法在室温下,莱斯大学的高密度氧化硅技术,下一代计算机内存是大规模生产更近一步。赖斯二氧化硅两端,记忆是一种“电阻随机存取记忆”(RRAM)…»阅读更多