一看四个流程开始使用不同的设计和基质来评估设计的失败。
四个流程选择附加磁场效应晶体管(C-FET),使用不同的设计和起始底物(如果散装,绝缘体或Double-SOI),比较评估过程变异的概率失败。研究了使用虚拟制造技术,而无需任何实际测试晶圆的制造。在这项研究中,Nanosheet-on-Nanosheet堆叠渠道提供优越的流程集成相比,鲁棒性Nanowire-On-Fin堆叠频道。Nanowire-On-Fin选项,使用SOI衬底为起始原料(相对于Si散装或DSOI)过程变化还强烈降低失败率。
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