技术论文题为“回顾虚拟晶片过程建模和计量先进技术发展”是由研究人员发表Coventor Inc .,林的研究。
“半导体逻辑与记忆技术开发继续推动过程复杂性和成本的限制,尤其是在产业迁移到5 nm节点和超越。优化工艺流程,最终量化它的物理和电气性能是至关重要的步骤产生成熟的技术。标准的构建、测试和等待模型技术开发时间和成本超支的主要因素。越来越无法描述的许多微妙和复杂的特性和产量限制因素给定技术是另一个严重的限制。我们将演示使用流程建模,虚拟晶圆和虚拟计量过程开发先进的逻辑和内存。准确预测流程建模,结合虚拟计量允许任何特性在任何给定结构的特性,正成为一个关键的先进技术发展的要求。虚拟制造也加速半导体开发周期,用有限的和冗长的wafer-based试验快速、大规模的虚拟实验设计。多个应用程序的虚拟过程建模和计量在3 d NAND插图,DRAM和逻辑技术。这些应用程序包括3 d NAND支柱腐蚀对齐的研究(包括倾斜、扭转和弯曲),DRAM电容器窗口过程优化、先进FinFET逻辑pitch-walking, BEOL性能优化”。
找到技术论文。2023年7月出版。
Hargrove,迈克尔,桑迪,Daebin严,基拉Egelhofer Ruegger, Pradeep Nanja, Sumant Sarkar,布雷特劳,本杰明·文森特·约瑟夫·欧文和大卫油炸。“回顾虚拟晶片为先进技术发展过程建模和计量。《微/ Nanopatterning、材料、计量22日。3 (2023):031209 - 031209。
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