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标签:DSA

在Si平台上以高足迹密度定义和生长III-V垂直纳米线
通过技术文件链接- 2022年7月29日-意见:0

瑞典隆德大学的研究人员发表了题为“Si上密集垂直III-V纳米线的定向自组装和栅极全方位沉积的影响”的新技术论文。摘要:“制造下一代晶体管需要新的技术要求，如减小尺寸和增加结构密度。开发具有成本效益的生产工艺。»阅读更多

生产时间:11月2日
通过马克LaPedus- 2021年11月2日-评论:0

《微/纳米图案、材料和计量学杂志》(JM3)发表了一篇论文，概述了光刻路线图和未来15年的各种挑战。这篇被称为“设备和系统光刻路线图的国际路线图”的论文预测，极紫外(EUV)光刻和下一代版本将仍然是最重要的。»阅读更多

ACAP在边缘与Versal AI边缘系列
通过赛灵思公司- 2021年6月30日-评论:0

本白皮书将AI Edge系列介绍到Versal ACAP产品组合中，这是一种领域特定架构(DSA)，可满足在7nm硅工艺中实现的系统的艰苦要求。该系列经过优化，以满足模拟-数字边界处或附近边缘节点的每瓦性能要求。在这里，对物理世界的即时反应是高度重视的，而在ma…»阅读更多

三代人的十个教训塑造了谷歌的TPUv4i
通过技术文件链接- 2021年6月11日-评论:0

资料来源:Norman P. Jouppi, Doe Hyun Yoon, Matthew Ashcraft, Mark Gottscho, Thomas B. Jablin, George Kurian, James Laudon，李胜，Peter Ma, Xiaoyu Ma, Nishant Patil, Sushma Prasad, Clifford Young，周宗伟(谷歌);David Patterson(谷歌/ Berkeley)2021 ACM/IEEE第48届计算机体系结构国际研讨会(ISCA)»阅读更多

Versal:首款自适应计算加速平台(ACAP)
通过赛灵思公司- 2020年12月1日-评论:0

最近的技术挑战迫使业界探索传统的“一刀切”CPU标量处理解决方案之外的选项。超大矢量处理(DSP, GPU)解决了一些问题，但由于不灵活，内存带宽使用效率低，它遇到了传统的扩展挑战。传统的FPGA解决方案提供可编程内存层次结构，但传统的…»阅读更多

互联挑战增长，工具滞后
通过布莱恩•贝利- 2020年6月15日-评论

随着设备的缩小，以及在系统中移动的数据量持续增加，互连变得越来越成问题。这种限制在过去已经出现过几次，今天又出现了。但是，当互连成为一个问题时，它不能以解决芯片其他方面问题的方式来解决。通常情况下，它会导致如何…»阅读更多

用于下一代设备的光刻选项
通过马克LaPedus- 2019年4月18日-评论

芯片制造商正在提高极紫外(EUV)光刻技术，以实现7nm和/或5nm的高级逻辑，但EUV并不是唯一的光刻选择。一段时间以来，该行业一直致力于其他各种下一代光刻技术，包括新版本的EUV。每种技术都是不同的，针对不同的应用。今天有些人就在这里，w…»阅读更多

单模式与多模式EUV
通过马克LaPedus- 2019年3月25日-意见:5

极紫外(EUV)光刻技术终于进入量产阶段，但代工客户现在必须决定是使用基于EUV的7nm单模制程来实现他们的设计，还是等待，转而采用5nm的EUV多模制程。每个模式方案都有独特的挑战，这使得决策比看起来更加困难。针对7nm，单一图案…»阅读更多

EUV到来，但未来还有更多问题
通过凯瑟琳德比郡- 2019年3月21日-意见:5

EUV已经到来。经过几十年的发展和数十亿美元的投资，EUV光刻技术正在世界领先的晶圆厂占据中心舞台。在ASML极紫外光刻研究项目开始20多年后，在第一批预生产曝光工具问世近10年后，该公司预计在2019年交付30个EUV曝光系统。几乎翻了一番……»阅读更多

2018年科技热门话题
通过琳达·克里斯坦森- 2018年12月31日-评论:0

2018年注定是过渡和变化的一年，有时在相同的设计中。汽车行业有新的机会，扩大规模仍有困难，人工智能和机器学习的爆炸式发展无处不在。报道上的流量数据提供了最新趋势的快照，但对于视频，这些趋势甚至更加明显，因为花费在观看这些视频上的时间。»阅读更多

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