基于cxl的内存池;碳纳米管布线;模型检查;通过NVM进行侧通道攻击;HDL编译器;高效能神经网络映射;等价性检查;倒装芯片键合;三元NAND/NOR通用逻辑门的LIM运算模拟晶体管的尺寸。
《半导体工程》杂志最近增加了新的技术论文库:
技术论文 | 研究机构 |
---|---|
Pond:基于cxl的内存池云平台系统 | 弗吉尼亚理工大学,英特尔,微软Azure,谷歌和Stone公司。 |
直接形成碳纳米管在塑料薄膜上控制电阻的布线 | 东京理科大学 |
消除过多的动态数据流电路使用模型检查 | 苏黎世联邦理工学院 |
NVLeak:芯片外侧通道攻击通过非易失性记忆系统 | 加州大学圣地亚哥分校,德州大学奥斯汀分校和普渡大学 |
多线程快速硬件用于HDL的编译器 | 加州大学圣克鲁斯分校 |
动态神经网络的高效映射异构MPSoCs | LAMIH/UMR CNRS,上法兰西理工大学和加州大学欧文分校 |
敏捷的等价性检查框架硬件设计 | 波特兰州立大学和英特尔公司 |
可拉伸印刷基板上的倒装芯片粘接;的影响可拉伸材料和芯片封装 | 奥地利硅实验室和智能系统技术研究所 |
使用双门反馈的三元NAND/NOR通用逻辑门的内存逻辑操作场效应晶体管 | 高丽大学 |
APOSTLE:分级的异步并行优化使用DNN学习的模拟晶体管 | UT Austin和Analog Devices公司 |
如果您有想要推广的研究论文,我们将对其进行审查,以确定它们是否适合我们的全球受众。至少,论文需要经过充分的研究和记录,与半导体生态系统相关,并且没有市场偏见。我们发布论文链接是没有成本的。请发送建议(通过下面的评论部分),告诉我们你还想加入什么。
更多的阅读
技术论文图书馆主页
留下回复