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芯片行业技术论文综述:3月6日

基于cxl的内存池;碳纳米管布线;模型检查;通过NVM进行侧通道攻击;HDL编译器;高效能神经网络映射;等价性检查;倒装芯片键合;三元NAND/NOR通用逻辑门的LIM运算模拟晶体管的尺寸。

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《半导体工程》杂志最近增加了新的技术论文库:

技术论文 研究机构
Pond:基于cxl的内存池云平台系统 弗吉尼亚理工大学,英特尔,微软Azure,谷歌和Stone公司。
直接形成碳纳米管在塑料薄膜上控制电阻的布线 东京理科大学
消除过多的动态数据流电路使用模型检查 苏黎世联邦理工学院
NVLeak:芯片外侧通道攻击通过非易失性记忆系统 加州大学圣地亚哥分校,德州大学奥斯汀分校和普渡大学
多线程快速硬件用于HDL的编译器 加州大学圣克鲁斯分校
动态神经网络的高效映射异构MPSoCs LAMIH/UMR CNRS,上法兰西理工大学和加州大学欧文分校
敏捷的等价性检查框架硬件设计 波特兰州立大学和英特尔公司
可拉伸印刷基板上的倒装芯片粘接;的影响可拉伸材料和芯片封装 奥地利硅实验室和智能系统技术研究所
使用双门反馈的三元NAND/NOR通用逻辑门的内存逻辑操作场效应晶体管 高丽大学
APOSTLE:分级的异步并行优化使用DNN学习的模拟晶体管 UT Austin和Analog Devices公司

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