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标签:定向自组装

定义& III-V垂直生长纳米线在一个较高的足迹密度Si平台上
通过技术论文链接——7月29日,2022 -评论:0

新技术论文题为“定向自组装密度垂直III-V门全面沉积在硅纳米线和影响”从瑞典隆德大学的研究人员发表。文摘:“制造下一代晶体管呼吁新的技术要求,如减少大小和密度的增加结构。发展具有成本效益的proc……»阅读更多

下一代光刻技术选择设备
通过马克LaPedus——4月18日,2019 -评论:2

芯片制造商增加极端紫外线(EUV)高级逻辑7纳米光刻技术和/或5海里,但EUV光刻并不是唯一选择在桌子上。一段时间,业界一直致力于各种各样的其他下一代光刻技术,包括新版本的EUV。每种技术都是不同的,针对不同的应用程序。有些人今天,w……»阅读更多

单和多模式EUV
通过马克LaPedus- 3月25日,2019 -评论:5

极端紫外线(EUV)光刻最终进入生产,但铸造客户现在必须决定是否使用EUV-based单一模式实现他们的设计在7海里,还是等待,而不是部署EUV多个模式5海里。每个模式方案都有独特的挑战,使决策更困难比可能出现。针对7海里,单一模式……»阅读更多

EUV到来,但更多的问题
通过凯瑟琳德比郡- 3月21日,2019 -评论:5

EUV已经到来。经过几十年的发展和数十亿美元的投资,EUV光刻占据中心舞台在世界领先的晶圆厂。20多年ASML极端紫外线光刻技术研究项目开始后,和近十年后首次接触预生产工具,公司预计在2019年交付30 EUV曝光系统。这几乎是房子……»阅读更多

使用DSA与EUV
通过埃德·斯珀林- 05年11月2018 -评论:1

副首席技术官詹姆斯•兰姆先进半导体制造和啤酒企业技术研究员科学,如何自组装可以用来补充EUV针对高级节点。https://youtu。/ PItF4egHOxc看到其他科技视频交谈»阅读更多

DSA重返得病的图片
通过马克LaPedus3月- 15,2018 -评论:1

由马克LaPedus和埃德·斯珀林定向自组装(DSA)正在回到模式不断挑战光刻技术在雷达屏幕上。英特尔继续有浓厚的兴趣(gettech id = " 31046 " t_name =“DSA”),而其他芯片制造商正在另一个硬看技术,根据多个业内人士。DSA不像传统[getkc id = " 80 " kc_name = "……»阅读更多

指数在边缘
通过埃德·斯珀林- 08年3月,2018 -评论:0

便携式交流的年龄已经引发了一场争夺的设备可以实现几乎任何桌面计算机能处理甚至是五年前。但这只是开始。移动设备的重大突破是结合语音通话的能力,最终文本和电子邮件,提供基础的移动办公室一次充电电池的光enou……»阅读更多

最后主要节点是7海里?
通过埃德·斯珀林7月- 20,2017 -评论:3

越来越多的设计和制造问题促使问题比例将真正是什么样子10/7nm之外,许多公司将如何参与,市场会地址。至少,节点迁移水平会在继续之前数值。预计将有重大改进7海里比之前的节点,所以,th……»阅读更多

在光刻和面具
通过马克LaPedus2017年5月- 01 -评论:1

半导体工程坐下来讨论光刻和格里高利·麦金太尔光掩模技术,先进模式部门主任(getentity id = " 22217 "评论=“IMEC”);哈里·莱文森高级研究员和高级技术研究主管[getentity id = " 22819 "评论=“GlobalFoundries”);首席技术官David炸(getentity id = " 22210 " e_name = " x和…»阅读更多

优化产品开发使用定向自组装(DSA)
通过Coventor2月24日,2017 -评论:0

定向自组装(DSA)是一种新兴技术,能够大大提高光刻制造半导体器件。在DSA,共聚物材料自组装形成纳米级分辨率模式在半导体衬底上。DSA技术有希望大幅度提高现有光刻的分辨率过程(如自对准……»阅读更多

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