新技术论文题为“Catalyst-free sub-5纳米硅纳米线阵列的合成大量晶格收缩和宽禁带”是东北大学的研究人员发表的,韩国科学技术研究院,国立大学等。
“在这里,我们准备高度密集和垂直对齐sub-5纳米硅纳米线直径与长度/纵横比大于10000通过开发一个catalyst-free化学气腐蚀过程。我们观察一个不寻常的晶格内减少高达20%的超窄硅纳米线和良好的在空气中氧化稳定性与传统硅相比,”国家。
找到这里的技术论文。2022年6月出版。
高,S。、香港年代。、公园、s . et al . Catalyst-free sub-5纳米硅纳米线阵列的合成大量晶格收缩和宽禁带。Nat Commun 3467 (2022)。https://doi.org/10.1038/s41467 - 022 - 31174 - x。开放访问https://www.nature.com/articles/s41467 - 022 - 31174 - x # rightslink。
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