一篇题为“Al的室温键合”的新技术论文2O3.使用原子层沉积的薄膜”由九州大学的研究人员发表。
摘要
在本研究中，Al的室温晶圆键合2O3.采用表面激活键合(SAB)方法实现了原子层沉积法(ALD)在硅热氧化物晶片上沉积薄膜。透射电子显微镜(TEM)观察表明，这些室温键合的Al2O3.薄膜作为纳米粘合剂，在热氧化硅薄膜之间形成了牢固的粘结，表现得很好。成功地将键合硅片完美切成0.5 mm × 0.5 mm的尺寸，并且表面能(表示键合强度)估计约为1.5 J/m2．这些结果表明，可以形成强键，这可能足以用于器件应用。此外，铝的适用性不同2O3.研究了SAB法的显微组织，以及ALD铝的应用效果2O3.经实验验证。这是阿尔成功的SAB2O3.薄膜是一种很有前途的绝缘体材料，为未来室温异构集成和晶圆级封装开辟了可能性。”
找到技术纸在这里．2023年3月出版。更多信息可以在这里找到在这里。
高仓隆，村上，S，渡边，K。et al。Al的室温成键2O3.使用原子层沉积法沉积的薄膜。Sci代表13， 3581(2023)。https://doi.org/10.1038/s41598 - 023 - 30376 - 7。
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