标签:成键

Surface-Activated ALD氧化铝的室温键合
通过技术论文链接- 03年4月,2023 -评论:0

新技术论文题为“室温键合的氧化铝薄膜沉积使用原子层沉积”是九州大学的研究人员发表的。抽象”在这项研究中,室温的氧化铝薄膜晶片键合硅热氧化晶圆,是沉积使用原子层沉积(ALD),实现了使用surface-activated键(SAB)卫理公会教徒……»阅读更多

管理Thermal-Induced压力芯片
通过凯伦·海曼2023年2月- 16(-评论:0

在最先进的高级节点和包,物理学是没有人的朋友。升级密度、较小的特性,和薄死使它更难以散热,增加机械应力。另一方面,薄电介质和更严格的空间使其更难以隔离和防止热量,并结合这些较小的特性和更高的d…»阅读更多

未知和挑战先进的包装
通过埃德·斯珀林——1月19日,2023 -评论:0

首席执行官迪克·Otte Promex行业,坐下来与半导体工程讨论未知材料属性,对焊接的影响,环境因素为何如此重要的复杂的异构包。以下是摘录的谈话。SE:公司已经设计异构芯片利用特定的应用程序或用例,但th…»阅读更多

测量的新方法,在圆片规模,直接成键的能量(CEA-LETI)
通过技术论文链接2022年12月- 12 -评论:0

新技术论文题为“双悬臂梁焊接能源使用共焦测量红外显微镜”由研究人员发表在大学格勒诺布尔阿尔卑斯,CEA-LETI SOITEC,帕洛阿尔托研究中心Technologique方田。“是为了测量评估的一种新技术,在圆片规模,直接成键的能量。它来源于标准的双悬臂梁(DCB)方法,并使用int……»阅读更多

热半导体热管理的趋势
通过凯伦·海曼11月17日,2022 -评论:1

越来越热的挑战,随着行业进入3 d包装和继续大规模数字逻辑,正推动研发的极限。太多的基本物理热困在过于狭小的空间导致实实在在的问题,如消费产品,太热。然而,更糟糕的是权力的丧失和可靠性,因为过热的DRAM不断r……»阅读更多

集成电路制造的材料和过程的变化
通过埃德·斯珀林和劳拉·彼得斯- 4月21日,2022 -评论:3

罗摩Puligadda,首席技术官在布鲁尔科学,坐下来与半导体工程讨论广泛的半导体制造业的变化,包装,和材料,以及如何影响可靠性,整个供应链流程和设备。SE:牺牲材料扮演着什么样的角色在半导体制造,并在新流程节点是如何改变?Puliga……»阅读更多

肿块与混合结合先进的包装
通过马克LaPedus——6月23日,2021 -评论:3

先进的包装继续获得蒸汽,但现在客户必须决定是否设计他们的下一个高端包使用现有的互连方案或转移到下一代,人口密度较高的技术称为铜混合成键。决定远非如此简单,在某些情况下可以使用这两种技术。每种技术在下一代先进pac添加新功能…»阅读更多

光明的未来在光子学
通过布莱恩•贝利2020年2月- 13(-评论:3

光子越来越失败接管,电子通讯,但混合两个从来都不是轻而易举的。总是有两个潜在的实现路径,构建每个在自己的衬底,然后叠加,或建立在单一基质。这两个解决方案之间的权衡是更复杂的比它可能最初出现,和持续的改进……»阅读更多

调查使用各种版本和热塑性粘结材料和方法来减少死亡转变和薄片弯曲eWLB Chip-First流程
通过布鲁尔科学8月- 14,2019 -评论:0

今天的扇出wafer-level包装(FOWLP)过程中使用有机基质组成的环氧模具化合物(EMC)创建使用热压缩过程。EMC晶圆是一个具有成本效益的方式来达到低调包不使用的无机基质生产芯片包更薄更快而不需要插入器或through-silicon-vias (tsv)。一个方法…»阅读更多

3 d分区
通过凯瑟琳德比郡- 5月23日,2019 -评论:2

最好的方法来提高晶体管密度不一定塞入更多的人到一个死。摩尔定律在其原始形式表示,设备密度大约每两年就增加一倍,成本保持不变。它依赖于观察加工硅片的成本保持不变,不管设备印刷的数量,进而依靠平…»阅读更多

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