Surface-Activated ALD氧化铝的室温键合


新技术论文题为“室温键合的氧化铝薄膜沉积使用原子层沉积”是九州大学的研究人员发表的。抽象”在这项研究中,室温的氧化铝薄膜晶片键合硅热氧化晶圆,是沉积使用原子层沉积(ALD),实现了使用surface-activated键(SAB)卫理公会教徒……»阅读更多

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