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MOVPE生长(100)β -氧化镓层用于电力电子应用


德国莱布尼茨研究所für Kristallzüchtung (IKZ)的研究人员发表了一篇题为“movpe生长的(100)β-Ga2O3薄膜及其用于电力电子应用的铝合金展望”的技术论文。“β-镓氧化物(β-Ga2O3)是一种极具前景的超宽带隙半导体,具有吸引人的物理性能,可用于下一代大功率器件、射频电子设备和电子设备。»阅读更多

研究报告:10月4日


韩国科学技术研究院(KIST)、日本国立材料科学研究所和群山国立大学的研究人员设计了基于二维半导体的电子和逻辑器件,其电学性能可以通过一种新的二维电极材料——氯掺杂锡二硒镍选择性控制。»阅读更多

半导体器件多层系统的薄膜失效


麻省理工学院、延世大学(首尔,韩国)的研究人员刚刚发表了一篇题为“半导体器件中多层薄膜的界面分层”的技术论文。根据摘要,“在这项工作中,热力应力对Si衬底上多层薄膜失效的影响是通过分析计算和各种热力试验来研究的。”...»阅读更多

高效调制掺杂:通往优质有机热电器件的路径


德累斯顿工业大学的新学术论文。摘要“我们研究了不同晶相的调制掺杂大面积rubrene薄膜晶体中的电荷和热电输运。我们表明,即使在高掺杂密度的情况下,当传统的体掺杂进入储备体系时,调制掺杂也可以实现优越的掺杂效率。调制掺杂正交橡胶…»阅读更多

Cu(111)的平面辅助自调节抗氧化性能


“氧化会恶化铜的性能,这对铜的使用至关重要,特别是在半导体工业和光电应用中。这促使许多研究探索铜氧化和可能的钝化策略。例如,原位观察表明氧化涉及台阶状表面:Cu2O生长发生在平面上,以…»阅读更多

分子束外延法制备BaZrS3硫系钙钛矿薄膜


摘要:采用分子束外延法制备了BaZrS3薄膜。BaZrS3与ZrS6八面体共角形成正交扭曲钙钛矿结构。单步MBE工艺使薄膜在原子尺度上光滑,具有近乎完美的BaZrS3化学计量,并与LaAlO3衬底具有原子锋利的界面。薄膜通过tw外延生长…»阅读更多

光电器件的溅射透明电极:诱导损伤和缓解策略


摘要:“磁控溅射沉积的透明电极和金属触点应用于许多最先进的光电器件,如太阳能电池和发光二极管。然而,由于等离子体发射和粒子撞击,这种薄膜的沉积可能会损坏下面的敏感器件层。插入一个缓冲层,以防止这样的大…»阅读更多

减少CMP中的返工:一种增强的基于机器学习的混合计量方法


作者:Vamsi Velidandla, John Hauck,卓陈,Joshua Frederick,和Zhihui Jiao半导体行业正在不断向更薄的薄膜和更小尺寸的复杂几何以及更新的材料前进。化学机械平面化(CMP)步骤的数量已经增加,因此,更需要晶圆内均匀性和晶圆间控制的薄…»阅读更多

电源/性能位:12月15日


阿卜杜拉国王科技大学(KAUST)的研究人员开发了一种方法,可以制造一种非常适合在电子设备中散热的碳材料。石墨薄膜常用于热管理。“然而,用于制造这些石墨薄膜的方法,使用聚合物作为原料,是复杂的,非常耗能……»阅读更多

功率/性能位:8月10日


昆士兰大学和ARC激子科学卓越中心(墨尔本大学)的研究人员开发了一种柔性、可回收、透明电极的材料,可用于太阳能电池板、触摸屏和智能窗户等产品。ARC激子科学卓越中心的Eser Akinoglu说:“这种表现……»阅读更多

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