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标签:韩国科学技术研究院

芯片行业技术论文综述:10月18日
通过琳达·克里斯坦森- 2022年10月18日-评论:0

新的技术论文增加到半导体工程图书馆本周。[table id=57 /]»阅读更多

研究报告:10月18日
通过杰西·艾伦- 2022年10月18日-评论:0

麻省理工学院(MIT)、哈佛大学、斯坦福大学、劳伦斯伯克利国家实验室、韩国科学技术研究院和清华大学的工程师们创建了一种模块化方法来构建可堆叠、可重构的AI芯片。该设计包括交替层的传感和处理元件，以及发光二极管。»阅读更多

高密度和垂直排列的亚5纳米硅纳米线
通过技术文件链接- 2022年10月11日-评论:0

东北大学、韩国科学技术研究院、庆尚大学等研究人员发表了一篇新的技术论文，题为“无催化剂合成亚5纳米硅纳米线阵列，具有大规模晶格收缩和宽带隙”。“在这里，我们准备了高度密集和垂直排列的5纳米以下的硅纳米线，其长度/直径方面为r…»阅读更多

研究报告:10月4日
通过杰西·艾伦- 2022年10月4日-评论:0

韩国科学技术研究院(KIST)、日本国立材料科学研究所和群山国立大学的研究人员设计了基于二维半导体的电子和逻辑器件，其电学性能可以通过一种新的二维电极材料——氯掺杂锡二硒镍选择性控制。»阅读更多

技术论文综述:7月26日
通过琳达·克里斯坦森- 2022年7月26日-意见:0

新的技术论文增加到半导体工程图书馆本周。[table id=41 /]半导体工程正在建立这个研究论文库。请发送建议(通过下面的评论部分)，告诉我们你还想加入什么。如果你有研究论文，你试图推广，我们将审查他们，看看他们是否适合…»阅读更多

分栅fet (sg - fet)
通过技术文件链接- 2022年7月21日-意见:0

这篇题为“用于NAND和NOR逻辑电路应用的纵向和纵向裂门场效应晶体管”的技术论文由首尔仁荷大学(韩国)和韩国科学技术研究院(KIST)电气与计算机工程系的研究人员发表。摘要二维(2D)材料已广泛应用于各种领域。»阅读更多

研究报告:7月18日
通过杰西·艾伦- 2022年7月18日-意见:0

韩国科学技术高级研究院(KAIST)的研究人员开发了一种计算快速链路(CXL)解决方案，用于直接访问的高性能内存分解，他们表示，与现有的基于远程直接内存访问(RDMA)的内存分解相比，该解决方案显著提高了性能。RDMA允许主机直接访问…»阅读更多

β-W/CoFeB异质结构中W-Ta或W-V合金层的自旋轨道扭矩工程
通过技术文件链接- 2022年1月4日-评论:0

摘要自旋轨道转矩(SOT)由非磁性过渡金属层中产生的自旋电流产生，为自旋电子器件提供了一种有前途的磁化开关机制。为了充分利用这一机理，在实践中，具有高SOT效率的材料是必不可少的。此外，新材料需要与半导体加工兼容。这项研究介绍了……»阅读更多

电源/性能位:9月15日
通过杰西·艾伦- 2020年9月15日-评论:0

来自普渡大学(Purdue University)和École Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL)的研究人员设计了一种改进激光雷达的方法，通过硅芯片上的机械控制和光调制来提供对附近快速移动物体的更高分辨率检测。“调频连续波”(FMCW)激光雷达通过扫描来自车辆顶部的激光来探测物体。»阅读更多

自热会阻止finfet吗
通过凯瑟琳德比郡- 2017年4月20日-评论:0

新的晶体管设计和新材料不会凭空出现。它们的采用总是由现有技术的局限性所驱动。硅锗和其他化合物半导体是有趣的，因为他们承诺优越的载流子迁移率相对于硅。[getkc id="185" kc_name="FinFET"]晶体管设计有助于最小化短通道效应，一个临界极限…»阅读更多

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