这个技术论文题为“纵向和纬度split-gate NAND和和逻辑电路应用场效应晶体管”由研究人员发表在电子和计算机工程系,韩国仁荷大学(韩国)和韩国科学技术研究院(KIST),首尔。
文摘
“二维(2 d)材料被广泛采用各种先进的设备架构应用程序由于其结构的多样性,高功能,和易于集成。在不同的体系结构上,split-gate场效应晶体管(SG-FETs)已经被广泛研究基于顺序位于SG沿着源/漏电极电极。在本文中,我们提出两种不同的齐次二硫化钼(监理)的SG-FET结构,即AND-FET和OR-FET的缺口方向互相垂直。展览,或或转换特征,如果它有一个纵向纬度的缺口SG结构,分别。此外,AND-FET和OR-FET被视为折叠结构的串联和并联连接两个n型晶体管。通过使用这些转换设备,我们成功地演示NAND也逻辑门通过一个活跃的通道。这些方法将为实现多功能化和高集成的2 d材料未来电子设备。”
找到这里的技术论文。2022年7月出版。
李,M。、公园、C.Y.、黄、位et al .纵向和纬度split-gate NAND和和逻辑电路应用场效应晶体管。npj 2 d板牙:6,45 (2022)。https://doi.org/10.1038/s41699 - 022 - 00320 - w。
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