标签:KIST

研究部分:10月4日
通过杰西·艾伦- 04年10月,2022 -评论:0

二维电极对超薄半导体韩国科学与技术研究所的研究人员(KIST),日本国家材料科学研究所和群山国立大学设计二维是从汤姆斯电子和逻辑设备,电气性能,可以有选择地控制通过一个新的二维电极材料,chlorine-doped锡diseleni……»阅读更多

Split-Gate场效应晶体管(SG-FETs)
通过技术论文链接- 7月21日,2022 -评论:0

这个技术论文题为“纵向和纬度split-gate NAND和和逻辑电路应用场效应晶体管”由研究人员发表在电子和计算机工程系,韩国仁荷大学(韩国)和韩国科学技术研究院(KIST),首尔。抽象的“二维(2 d)材料已经广泛采用多种……»阅读更多

电力/性能:9月15日
通过杰西·艾伦9月- 15,2020 -评论:0

高分辨率激光雷达来自普渡大学的研究人员和洛桑联邦理工(EPFL)想出了一个办法来提高激光雷达和提供高分辨率的检测附近的快速运动的物体通过机械控制和调制光的硅片。调频连续波(FMCW)激光雷达探测对象通过扫描激光从vehicl……»阅读更多

将自动加热停止FinFETs
通过凯瑟琳德比郡4月- 20,2017 -评论:0

新晶体管设计和新材料不要凭空出现。他们总是采用由现任技术的局限性。硅锗和其他化合物半导体是有趣,因为他们承诺卓越的载流子迁移率相对于硅。[getkc id = " 185 " kc_name = " FinFET "]晶体管设计帮助减少短沟道效应,一个重要的里美……»阅读更多

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