标签:辐射

氮化镓功率设备:稳定性、可靠性和鲁棒性问题
通过技术论文链接- 4月30日,2023 -评论:0

技术论文题为“氮化镓功率设备的稳定性、可靠性和健壮性:审查”是弗吉尼亚理工学院和州立大学的研究人员发表的,约翰·霍普金斯大学应用物理实验室,和九州大学。“氮化镓(GaN)设备革命推进效率、频率、和电力电子形式。然而,t…»阅读更多

抗辐射非易失性磁铁闩,容忍鼻烟和DNUs
通过技术论文链接9月- 13,2022 -评论:0

研究论文题为“抗辐射和高可靠性和持久性存储非易失性磁锁”是安徽大学的研究人员发表的,合肥工业大学,LIRMM, Kyutech。根据文摘:“基于先进triple-path dual-interlocked-storage-cell (TPDICE)和mtj,本文提出一种抗辐射非易失性magneti……»阅读更多

的影响大小缩放和设备结构辐射响应的纳米金属氧化物半导体晶体管
通过技术论文链接8月24日,2022 -评论:0

新技术论文题为“角度辐射效应在纳米级金属氧化物半导体设备”被范德比尔特大学的研究人员发表,田纳西州纳什维尔。支持的工作部分国防威胁降低局和由美国空军科学研究办公室和空军研究实验室。根据这篇论文,“这谕…»阅读更多

小说之家半导体
通过技术论文链接- 6月21日,2022 -评论:0

新的研究论文题为“闭锁异国情调的聚阳离子半导体silicon-phosphorus框架”从化学系研究员,爱荷华州立大学和埃姆斯实验室,美国能源部。抽象的“一系列新颖的半导体AAe6Si12P20X (Na, K, Rb, Cs;Ae = Sr,英航;X = Cl, Br,我)报道。他们的晶体结构特性四面体Si-P f……»阅读更多

晶体管交错的效果在骰子拖鞋22纳米FD SOI技术节点
通过技术论文链接- 4月25日,2022 -评论:0

萨斯喀彻温大学的新研究论文,NSERC和思科大学资助的研究项目。抽象的“完全耗尽绝缘体上硅(FD SOI)技术节点提供更好的抵抗单一事件令比大部分技术,但令仍可能发生在纳米特征尺寸,和额外的硬化技术应该空洞……»阅读更多

FLODAM:跨层可靠性分析流复杂的硬件设计
通过技术论文链接4月- 20,2022 -评论:0

抽象的“现代技术使硬件设计越来越敏感,辐射粒子和相关的错误。结果,分析系统的行为在辐射诱导的缺点已经成为系统设计过程的一个重要组成部分。现有方法要么专注于分析在降低硬件设计层的辐射影响,没有进一步传播任何rad……»阅读更多

RT Kintex UltraScale fpga为超高吞吐量和高带宽的应用程序
通过赛灵思公司——2020年12月1日电——评论:0

Xilinx FPGA的UltraScale架构扩展能力对于空间的应用程序,提供一个阶跃函数增加I / O和内存带宽、容量、性能、和在轨it。第一次RT Kintex UltraScale XQRKU060 FPGA使卫星产业获得超高吞吐量车载处理数以百计的Gb / s。此功能允许飞船轨道……»阅读更多

人工智能在偏远地区
通过苏珊兰博- 08年9月,2020 -评论:0

实在是没有什么可以在地球上与电子在空间,你不能做,但它肯定会困难得多,且要花很长的时间来解决出现问题。越来越多的智能电子发射入太空,关注潜在的失败正在增长。AI推论已经进一步推出有一段时间了,并开始重新定义什么缺点…»阅读更多

减轻辐射对先进汽车电路的影响
通过雅各Wiltgen- 01年7月,2020 -评论:0

汽车集成电路应用程序的安全考虑相似的其他安全至关重要的行业,如航空电子设备、空间和工业领域。ISO 26262是最先进的安全标准指导电子产品所需的安全活动和工作产品部署在一个汽车系统。ISO 26262要求设计保护从eff…»阅读更多

权力,包装的可靠性和安全性
通过埃德·斯珀林——6月19日,2019 -评论:0

半导体工程坐下来讨论先进包装Ajay Lalwani eSilicon全球制造业务的副总裁;副总裁兼首席策略师维克Kulkarni办公室的首席技术官在ANSYS;在日月光半导体的工程副总裁凯文张;副总裁沃尔特·Ng在联华电子商务管理;Tien什叶派,记忆的资深经理萨姆松……»阅读更多

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