研究人员提出了3种DICE IFF设计，其中包括晶体管交织、CnRx结构和22 nm FD SOI技术节点上的守护门技术。
萨斯喀彻温大学的新研究论文，由NSERC和思科大学研究计划资助。
摘要
“完全耗尽绝缘体上硅(FD SOI)技术节点对单事件扰动的抵抗能力比类似的大规模技术更好，但扰动仍有可能发生在纳米尺度的特征尺寸上，应该探索其他硬化技术。在一个22米FD SOI技术节点上使用双连锁单元(DICE)锁存器实现了三种触发器设计。通过使用晶体管间距和交错，在每个设计的布局中实现了额外的强化。比较了标准的DICE设计和使用新的连续有源(CnRx)扩散结构和通过α粒子和重离子辐照的守卫门晶体管堆叠的其他两种设计。利用CnRx结构进行性能改进的设计更有可能遇到扰动，因为在增加的扩散区域收集的电荷更高。相反，由于FD SOI技术中晶体管之间的自然隔离，晶体管堆叠显示出强大的软错误率弹性。总的来说，在22纳米FD SOI技术节点中，使用DICE锁存器的人字拖中晶体管交织的有效性被发现非常稳健。”
找到开放获取这里是技术文件．2022年4月出版。
Elash C.J.;李,z;金,c;陈,l;兴,j .;杨,z;在22纳米FD SOI技术节点上的DICE触发器中晶体管交织的有效性。达成。科学通报2022,12,4229。https://doi.org/10.3390/app12094229。
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