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标签:软错误

健壮的舌强硬地反对QNUs 22纳米CMOS技术的安全性至关重要的应用程序
通过技术论文链接- 07年9月,2022 -评论:0

技术论文题为“既和健壮的舌强硬地反对四节点为纳米级CMOS令”是安徽大学的研究人员发表的,合肥工业大学,安徽理工大学、九州技术研究所和蒙彼利埃大学/ CNRS。文摘:”积极降低CMOS晶体管特征尺寸,软……»阅读更多

晶体管交错的效果在骰子拖鞋22纳米FD SOI技术节点
通过技术论文链接- 4月25日,2022 -评论:0

萨斯喀彻温大学的新研究论文,NSERC和思科大学资助的研究项目。抽象的“完全耗尽绝缘体上硅(FD SOI)技术节点提供更好的抵抗单一事件令比大部分技术,但令仍可能发生在纳米特征尺寸,和额外的硬化技术应该空洞……»阅读更多

FLODAM:跨层可靠性分析流复杂的硬件设计
通过技术论文链接4月- 20,2022 -评论:0

抽象的“现代技术使硬件设计越来越敏感,辐射粒子和相关的错误。结果,分析系统的行为在辐射诱导的缺点已经成为系统设计过程的一个重要组成部分。现有方法要么专注于分析在降低硬件设计层的辐射影响,没有进一步传播任何rad……»阅读更多

使用静态分析功能安全
通过埃德·斯珀林1月- 15,2020 -评论:0

Maamari Fadi,这个小组组Synopsys对此研发主管,解释了为什么静态分析的需求突然汽车芯片设计,如何可以帮助选择最佳功能安全的实现方法,并融入设计流程。»阅读更多

第一次看到:10纳米
通过埃德·斯珀林1月29日,2015 -评论:6

随着半导体产业开始在解决大规模生产14/16nm过程节点,工作已经开始在10纳米。工具是合格、IP的特点是,第一个测试芯片正在生产。这对生产还为时过早,讲座或是三年也就有足够的信息被收集画至少一些印象多么toug……»阅读更多

你的IP有多可靠?
通过埃德·斯珀林9月- 12,2014 -评论:0

几乎每个人都买了一个新的智能手机,汽车,家电设备或设备经历了技术故障,需要更换或修理,或者他们知道有人经历过这些问题。好消息是,只有很小一部分的电子故障或失败可以导致硬件设计。大部分是由于制造业变化……»阅读更多

危险的电力
通过安Mutschler- 11年4月,2013 -评论:0

现代的电力供应是空气一样不可或缺,但是过多的可以为汽车和航空航天applications-especially坏事时的静电放电(ESD)。28 nm芯片之前,20 nm和16 nm,静电放电的设计窗口正在萎缩的原因,解释了诺曼Chang是副总裁和高级产品的对策……»阅读更多

为什么半导体封装问题
通过安Mutschler——5月27日,2009 -评论:0

由安Steffora Mutschler经过几十年的几乎被认为是马后炮,半导体封装正成为不可或缺的摩尔定律路线图的一部分。电力、热、制造业和软错误等杂质在45 nm和32 nm变得如此明显,它们实际上是开始影响到包中。而这些问题并不新鲜,不断缩小了th……»阅读更多

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