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标签:FD-SOI

在22纳米FD SOI技术节点上DICE触发器中晶体管交织的功效
通过技术文件链接- 2022年4月25日-意见:0

萨斯喀彻温大学的新研究论文，由NSERC和思科大学研究计划资助。“完全耗尽绝缘子上硅(FD SOI)技术节点对单事件扰动提供了比同类散装技术更好的抵抗能力，但扰动仍有可能发生在纳米级特征尺寸上，应该探索其他硬化技术……»阅读更多

用于汽车雷达传感器的28 nm FD-SOI CMOS技术中的40 GHz VCO和分频器
通过技术文件链接- 2021年8月31日-评论:0

摘要:“本文介绍了一种采用意法半导体28 nm超薄体盒(UTBB)完全耗尽绝缘体上硅(FD-SOI)互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺制造的40 GHz压控振荡器(VCO)和分频链，具有8层金属线后端(BEOL)选项。VCOs架构是基于一个LC-tank与p型金属氧化物…»阅读更多

英特尔- globalfoundries的谣言背后
通过埃德·斯珀林- 2021年7月19日-意见:5

《华尔街日报》的一篇报道称，英特尔正在寻求收购GlobalFoundries，这引发了整个行业的讨论。但这究竟意味着什么，以及为什么现在与几年前相比，需要一些背景知识。这一潜在交易背后有一层又一层的讽刺意味，它可以追溯到几十年前一些相当著名的遭遇。想想AMD前首席执行官杰里·桑德斯1991年的评论……»阅读更多

扇形包装的选择越来越多
通过马克LaPedus- 2021年6月17日-评论:0

芯片制造商、osat和研发机构正在为一系列应用开发下一波扇出包，但整理新选项并找到正确的解决方案被证明是一个挑战。扇出是一种在高级封装中组装一个或多个芯片的方法，使芯片具有更好的性能和更多的I/ o，用于计算、物联网、网络和sma等应用程序。»阅读更多

功率优化:下一步是什么?
通过布莱恩•贝利- 2021年5月17日-意见

在过去的几十年里，人们对半导体功耗的担忧一直在上升，但我们可以期待EDA公司在分析和自动化方面看到什么，该行业是否准备好进行投资?自从大约2006年，登纳德缩放不再提供自动功率增益，转而采用更小的几何结构以来，半导体一直在增加……»阅读更多

22nm FD-SOI技术在WLP中的芯片板相互作用分析
通过公司- 2021年3月17日-意见:0

最近，晶圆级封装(WLP)的需求一直很高，特别是在移动设备应用中，作为一种实现小型化的途径，同时保持良好的电气性能。相对低廉的封装成本和简化的供应链正在鼓励其他行业将WLP功能用于射频(RF)、通信/传感(mmWave)和汽车应用。»阅读更多

处理亚阈值变化
通过布来安梅奥- 2020年11月12日-评论:0

芯片制造商正在推进亚阈值操作，以延长电池寿命并降低能源成本，这给设计团队带来了一系列全新的挑战。虽然工艺和环境变化长期以来一直是先进硅工艺节点的关注点，但大多数设计都在标准的“超阈值”制度下运行。相比之下，子阈值设计具有独特的变化。»阅读更多

一周回顾:制造，测试
通过马克LaPedus- 2020年9月25日-评论:0

以下是路透社的最新消息:“美国对中国最大的芯片制造商中芯国际(SMIC)的出口实施了限制，此前美国得出结论，向其供应的设备存在‘不可接受的风险’，可能被用于军事目的。”这一切意味着什么?“媒体报道称，上周五，美国商务部对中国最大的半导体产品实施了限制。»阅读更多

重新思考铸造厂的竞争优势
通过埃德·斯珀林- 2020年8月3日-评论:2

代工行业的赢家过去是由谁先到达最先进的工艺节点来决定的。在很大程度上，这一基准已不再适用。与过去不同的是，当时所有的晶圆代工厂和idm都使用基本相同的工艺进行竞争，每个晶圆代工厂都有自己的路线。这主要是由于终端市场的分化，以及随着成本的增加，……»阅读更多

走在边缘
通过马克LaPedus- 2020年1月27日-意见:3

Leti首席执行官Emmanuel Sabonnadière与《半导体工程》(Semiconductor Engineering)聊了聊人工智能(AI)、边缘计算和芯片技术。以下是那次谈话的节选。SE:人工智能未来会走向何方?Sabonnadière:我坚信边缘AI将改变我们的生活。今天的微电子学是由80%的东西组织起来的…»阅读更多

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