40 GHz压控振荡器(VCO)和分频器链装配式意法半导体28纳米超薄体和盒子(UTBB)完全耗尽的绝缘体(FD-SOI)互补金属氧化物半导体(CMOS)过程与8个金属层back-end-of-line (BEOL)选项
文摘:
”提出了一个40 GHz压控振荡器(VCO)和分频器链装配式意法半导体28纳米超薄体和盒子(UTBB)完全耗尽绝缘体(FD-SOI)互补金属氧化物半导体(CMOS)过程与8个金属层back-end-of-line (BEOL)选项。配装架构是基于一个LC-tank p型金属氧化物半导体(pmo) cross-coupled晶体管。配装具有调谐范围(TR)的3.5 GHz利用两个连续频率调谐乐队选择通过一个单一的控制。测量相位噪声(PN) 38 GHz载波频率是94.3和118−−dBc / Hz 1和10 MHz频率偏移,分别。高频分规,从40到5 GHz,用三个静态CMOS电流型逻辑(CML)主从d型触发器阶段。整个分配器的因素是2048。CMOS开关触发器架构在5 GHz采用低频分规。VCO内核的功耗和分频器链是18 - 27.8 mW从1.8和1 V电源电压,分别。电路功能和性能在三结温度(即证明。−40 25和125°C)使用热室。”
找到开放获取技术论文链接在这里
imec的计算路线图;美国目标华为;美印。特遣部队;China-Bolivia交易;力量发泄白光干涉测量系统;三星量化可持续性;麦肯锡标识在美国工厂建设问题;发光二极管。
留下一个回复