晶体管交错的效果在骰子拖鞋22纳米FD SOI技术节点


萨斯喀彻温大学的新研究论文,NSERC和思科大学资助的研究项目。抽象的“完全耗尽绝缘体上硅(FD SOI)技术节点提供更好的抵抗单一事件令比大部分技术,但令仍可能发生在纳米特征尺寸,和额外的硬化技术应该空洞……»阅读更多

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