zeta系列光学剖面仪使用非破坏性和高通量计量技术，提供高纵横比结构(如HEMT通孔)的精确测量和自动分析。
zeta系列光学剖面仪使用非破坏性和高通量计量技术，提供高纵横比结构(如HEMT通孔)的精确测量和自动分析。
介绍
宽带隙半导体材料由于其在高温、高功率和高频率下的性能，在电力电子领域的应用极具吸引力。在宽带隙半导体中，氮化镓(GaN)用于功率器件制造(a)超过硅高压器件的性能，(b)比碳化硅(SiC)功率器件更具成本效益。使用SiC衬底的GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件的性能在高温电子，射频(RF)功率放大器和功率微波应用中得到了优化。
GaN/SiC HEMT制造流程通常包括以下步骤:SiC衬底形成;氮化镓外延;腐蚀;前端装置开发;晶圆键合载体;晶片变薄;硬掩模制造;通路孔腐蚀;非盟电镀;晶圆剥离/清洗、封装、过孔蚀刻工艺及镀金。 Figure 1 shows the backside via structure before (top) and after (bottom) the Au electroplating step. Monitoring the via etch process is critical because the quality of the etch directly impacts HEMT device performance. The key metrology parameters at this step include the opening diameter and average depth of the via holes. Although scanning electron microscopes (SEMs) can be used to measure hole depth of high aspect ratio (~ 1:3) structures, SEM techniques are either destructive or have low throughput. In contrast, 3D optical profiling offers a non-destructive, high-thruput means of measuring the critical dimensions vias.
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