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一个多层PCB生产缝合在一起
通过帕特里克载体- 5月25日,2023 -评论:0

印刷电路板(PCB)就像一个复杂的城市,无数的数据信号交织在一起的通路和权力。以满足现代的电流需求,高性能的集成电路(ic)、配电网络(生产)通常由宽电力飞机多层提供功率输出的低阻路径。这些飞机被缝在一起…»阅读更多

的路径已知良好的互联
通过劳拉·彼得斯——1月19日,2023 -评论:1

Chiplets和异构集成(HI)提供一个令人信服的方式继续提供改善性能,力量,区域,和成本(PPAC)摩尔定律放缓,但选择最好的方式来连接这些设备,所以他们的行为一致的和可预测的方式成为一个挑战选项的数量还在继续增长。更多的可能性也带来更多潜在interac……»阅读更多

描述的HEMT通过
通过心理契约- 08年11月,2022 -评论:0

Zeta-Series光学分析器提供准确测量和自动分析高纵横比的结构如HEMT通过使用非破坏性和高吞吐量的计量技术。介绍宽禁带半导体材料是极具吸引力的用于电力电子,由于他们的表现能力在高温度、功率和频率。在宽…»阅读更多

马朗戈尼有效,在一个双波纹Via-First方法
通过布鲁尔科学8月19日,2021 -评论:0

的主要挑战之一双波纹(DD) via-first过程的控制临界尺寸(CDs)光刻的战壕。光致抗蚀剂(PhR)厚度呈现变化通过数组的开放区域,导致CDs的变化:摆动的效果。DD via-first的整平过程报告。一个双层的解决方案用于发展……»阅读更多

低电阻防止失败在集成电路设计
通过Fady福- 5月28日,2020 -评论:0

由Fady Fouad Esraa Swillam,威尔逊和杰夫抵抗威胁时,您通常希望付出你所有的阻力。在集成电路设计中,另一方面,减少阻力权力结构设计中对成功是至关重要的。随着金属窄节点与技术进步,阻力水平上升,和电压降(IR)和电迁移(EM)问题发展,无论是在数量……»阅读更多

超级区域材料海沟和通过数组
通过布鲁尔科学——5月21日,2020 -评论:0

由于设备设计尺度和变得更加复杂,好控制模式和转移是不可或缺的步骤。整平的深沟,通过阵列一直是一个挑战。纵横比继续增加,临界尺寸缩小,和典型的海沟填补计划不再能够满足填充和整平的要求。传统设计的自旋对碳(SOC)米……»阅读更多

对汽车系统GDDR6:信号完整性的挑战
通过弗兰克铁3月- 14,2019 -评论:0

信号完整性(SI)的SoC和系统设计师的思维,因为他们计划即将到来的高速GDDR6 DRAM层和物理层的实现汽车和先进的驾驶员辅助系统(ADAS)应用程序。Rambus及其合作伙伴密切观察GDDR6 16个千兆每秒速度每个销影响信号完整性的考虑到成本和系统约束的……»阅读更多

CMOS区域扩展和高纵横比的需要通过
通过Coventor- 10月26日,2018 -评论:0

解决内部路由拥塞将启用CMOS区域扩展到它们的关键节点。解决方案将需要新的设计策略和路由(内线),以及模式的创新。在这项工作中,我们目前的夹层高纵横比通过或“SuperVia”(SV)作为一种技术元素,可以使跟踪身高比例4.5 t积极它们毛钱……»阅读更多

变化在10/7nm
通过埃德·斯珀林- 10月18日,2018 -评论:1

副总裁Klaus Schuegraf PDF的新产品和解决方案的解决方案,解释了为什么变化是一个越来越大的挑战高级节点,为什么中间的线现在的一大问题,并通过偏差是由于当一个小变化过程。https://youtu.be/jQfggOnxZJQ»阅读更多

新的模式选项新兴
通过马克LaPedus——4月19日,2018 -评论:1

有几个工厂工具厂商推出下一波的自对准模式技术在转向新设备在10/7nm和超越。应用材料、林研究和电话开发自对准技术是基于各种各样的新方法。最新的方法是自对准模式技术与多色材料计划,这对我们的设计……»阅读更多

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