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标签:HEMT

HEMT过孔的表征
通过心理契约- 2022年11月8日-评论:0

zeta系列光学剖面仪使用无损和高通量计量技术对高纵横比结构(如HEMT通孔)进行精确测量和自动化分析。宽带隙半导体材料由于其在高温、功率和频率下的性能，在电力电子领域的应用极具吸引力。在宽…»阅读更多

用激光切片技术细化GaN-on-GaN HEMTs
通过技术文件链接- 2022年5月9日-意见:0

新的技术论文“GaN-on-GaN高电子迁移率晶体管的激光切片细化”，来自名古屋大学，滨松光子学和国立材料科学研究所，Tsukuba的研究人员。摘要:“作为一种新开发的切割GaN衬底的技术，目前这种技术非常昂贵，而且损耗小，我们之前在本杂志上报道了一种激光切片技术。在…»阅读更多

中高功率宽带隙半导体开关器件驱动电路综述
通过技术文件链接- 2022年2月4日-评论:0

摘要:“宽带隙(WBG)基于材料的开关器件，如氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMTs)和碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)被认为是替代传统硅(Si) mosfet的非常有前途的候选器件，用于各种先进的功率转换应用，主要是因为它们的性能比…»阅读更多

用于CoolGaN 600v hemt的栅极驱动解决方案
通过英飞凌- 2021年7月8日-评论:0

本文介绍了英飞凌CoolGaN 600v电子模式hemt的栅极驱动要求。讨论了各种驱动解决方案，从标准的rc耦合驱动器到使用专用门驱动器ic的新型差分驱动概念。在半桥拓扑中，结合隔离和非隔离驱动器的混合配置可能是一种令人兴奋的替代方案。实际应用…»阅读更多

生产时间:1月21日
通过马克LaPedus- 2020年1月21日-意见:0

弗劳恩霍夫应用固体物理研究所IAF开发了一种新型高频晶体管类型——金属氧化物半导体HEMT或MOSHEMT。夫琅和费的MOSHEMT仍在研发阶段，其频率已达到创纪录的640GHz。MOSHEMTs的设计频率范围为100GHz及以上。应用包括通信、雷达和传感器。»阅读更多

权力争夺战开始
通过马克LaPedus- 2019年10月23日-评论

几家供应商正在推出基于氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)的下一波功率半导体，为市场上与传统硅基器件的摊牌奠定了基础。功率半导体是一种专门的晶体管，融合了GaN、SiC和硅等不同的竞争性技术。功率半是作为一个开关在高压…»阅读更多

28v - 50v GaN-on-SiC s波段和x波段可靠性比较
通过Wolfspeed，一家克里族公司- 2019年8月14日-评论:0

本文讨论了Wolfspeed GaN/AlGaN高电子迁移率晶体管(HEMT) MMIC释放工艺技术，在100 mm高纯度半绝缘(HPSI) 4H-SiC衬底上制备的可靠性性能。采用直流加速寿命试验(DC- alt)对28v和40v技术在400 nm和250 nm栅极长度下的固有可靠性性能进行了表征。»阅读更多

一种基于自生谐波电流的高效饱和功率放大器设计新方法
通过Wolfspeed，一家克里族公司- 2019年7月17日-评论:0

提出了一种不需要特殊谐波终止电路的高效功率放大器的设计方法。所提出的PA通过调节唯一的基础负载，从线性到膝区进入饱和运行，饱和运行诱导自产生谐波电流。该方法可以很容易地形成电流和电压波形。»阅读更多

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