深入研究一些GaN/AlGaN高电子迁移率晶体管(HEMT) MMIC发布的工艺技术在s波段和x波段的可靠性。
本文讨论了Wolfspeed GaN/AlGaN高电子迁移率晶体管(HEMT) MMIC释放工艺技术，在100 mm高纯度半绝缘(HPSI) 4H-SiC衬底上制备的可靠性性能。采用直流加速寿命试验(DC- alt)对栅极长度为400 nm和250 nm的28 V和40 V技术的固有可靠性性能进行了表征，其中欧姆接触互扩散是磨损机制，并受到温度和电流的加速。采用RF-ALT方法对栅长400 nm的50 V技术的内在可靠性性能进行了表征，其中源连接的第二场板空洞聚结是磨损机制，且温度加速。尽管加速测试方法和磨损机制存在差异，但所有Wolfspeed GaN-on-SiC技术在各自的最大推荐操作条件下都表现出较高的预测寿命，且相似。零故障的成功技术资格和低现场故障率的批量生产支持了可靠性性能。
点击在这里阅读更多。
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
留下回复