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标签:GaN-on-SiC

GaN SiC降低5 g基站成本如何
通过Wolfspeed, Cree公司——4月15日,2020 -评论:0

GaN更高的效率在5 g频率与LDMOS也意味着更低的运营成本/位/秒和较低的碳足迹。克里族公司Wolfspeed, GaN SiC设备市场的主导者,估计GaN在SiC相比可以节省超过200 W的直流电源系统使用LDMOS功率放大器(PAs)操作时最大平均功率。继续阅读…»阅读更多

氮化镓SiC: 5 g的唯一可行的长期解决方案
通过Wolfspeed, Cree公司1月- 22,2020 -评论:0

5 g波多年的建筑将在2019年终于来到岸上。早期(但非常有限)服务将获得隆重推出第一轮5 g设备将开始冲击市场。更广泛的商业部署,然而,仍在远处,将是一个缓慢但波从2020年到2025年增长。CCS Insight预测10亿年全球5 g用户……»阅读更多

氮化镓与硅5 g
通过凯文·福格蒂8月- 15,2019 -评论:0

全球竞相推出5 g mmWave频率可能提供一个期待已久的市场机会,氮化镓(GaN)作为硅的替代品。甘5 g射频比硅更高效。事实上,氮化镓在5 g继承人硅功率放大器多年来,特别是mmWave 5 g网络。是什么让它如此有吸引力的是其高效的能力…»阅读更多

可靠性比较28 V - 50 V GaN-on-SiC s波段和x波段技术
通过Wolfspeed, Cree公司8月- 14,2019 -评论:0

论述了可靠性性能Wolfspeed GaN /沃甘高电子迁移率晶体管(HEMT) MMIC释放过程技术,组装在100毫米高纯度半绝缘性(HPSI) 4 h-sic基质。的固有可靠性性能28 V和40 V技术,与400 nm和250 nm门长度,已经具有直流加速寿命试验(DC-ALT), f……»阅读更多

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