介绍了GaN HEMT和SiC MOSFET的特点和工作原理。本文旨在为电力工程领域的工程师全面了解WBG开关器件的驱动要求，特别是在中大功率应用领域。
文摘:
宽带隙(WBG)基于材料的开关器件，如氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(hemt)和碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)被认为是替代传统硅(Si) mosfet的非常有前途的候选器件，用于各种先进的功率转换应用，主要是因为它们具有更高的开关频率和更少的开关和导通损耗。然而，为了充分利用它们的优势，了解WBG和si基开关设备之间的内在差异并研究安全、高效和可靠地利用WBG设备的有效方法是至关重要的。本文旨在为电力工程领域的工程师全面了解WBG开关器件的驱动要求，特别是在中大功率应用领域。首先，探讨了WBG开关器件及其商用产品在特定电压范围内的特点和工作原理。接下来，讨论了WBG开关设备驱动电路设计的考虑因素，并探讨了为WBG开关设备设计的商用驱动器。最后，对中高功率应用中WBG开关器件驱动技术的典型论文进行了综述。
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马春涛，顾志华。中高功率宽带隙半导体开关器件驱动电路综述。大。2021;12(1): 65。
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