铁电材料的物理是一个很大的主题-太大了,不能在一篇文章中全面覆盖。在研究我最近关于负电容的文章时,我发现一些论文可能会让寻求更深入研究的读者感兴趣。
日本的研究人员使用铁电BiFeO3.来控制CaMnO的行为3.,为莫特绝缘体。改变两极分化铁电性的改变引起绝缘子电阻的很大变化。
fefet的静电特性取决于阈值电压附近的畴壁行为。印度的研究人员针对这两者开发了一个模型畴壁移动和新畴成核.
朗道理论是以对称性为基础的分析相变附近的平衡行为.它是微观模型和观察到的宏观行为之间的有用桥梁,但它本身不足以分析微观现象。
钝化二维材料
澳大利亚莫纳什大学的研究人员在二维材料保护层中使用液态镓和氧化镓方面做了相当多的工作。最近,他们展示了大面积氧化镓薄膜抑制声子散射,提高石墨烯的迁移率。
高分辨率的“冷”电子成像
应用材料公司宣布了两种基于“冷场”电子束技术的新系统。冷场电子发射是可取的,因为较低的温度导致更窄的光束和更好的图像分辨率。该公司声称超高真空柱-少于10个-11年Millibar -和一种新颖的尖端清洗模式解决了以前限制冷场系统的污染问题。
过渡金属硅化物建模
过渡金属硅化物通常用作CMOS晶体管的源、门和漏触点,并且是新兴器件中类似应用的主要候选者。本文研究了硅化物界面形成过程这高度依赖于微观结构和局部化学。
蚀刻不含氟碳化合物
基于氟碳聚合物的等离子体被广泛用于各向异性二氧化硅蚀刻,因为氟碳聚合物副产物可以钝化和保护特征侧壁。不幸的是,通常使用的物种-如CF4和C4F8-具有较高的全球变暖潜能值和较长的大气寿命。本文对其使用进行了评价六氟异丙醇作为潜在的替代品.
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更深入研究铁电材料世界的工具。
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