新的研究论文题为“光明黑暗的单层半导体通过强大的件轻松事耦合腔,“从卡尔·冯·Ossietzky奥尔登堡大学的研究人员(德国)、冰岛大学维尔茨堡大学(德国)、席勒大学(德国)、亚利桑那州立大学(美国)和国家材料科学研究所的筑波(日本)等。
文摘:
“工程通过件轻松事强耦合量子材料的属性是一个引人注目的研究方向,现代应用的多样性。这些范围从修改在有机分子电荷传输,指导粒子关联和互动,甚至控制化学反应。在这里,我们研究材料属性的修改通过强耦合和演示一个有效的反演的激子的band-ordering WSe的单层2spin-forbidden,光暗基态。在我们的实验中,我们利用强劲的件轻松事之间的耦合腔光子和高能源、spin-allowed明亮的激子,从而创建两个明亮的polaritonic模式的光学带隙低极化声子模式推动WSe以下2黑暗状态。我们证明在这个政权普遍观察到发光猝灭源于黑暗基态的快速放松是预防,导致这个内在的光明黑暗物质。我们调查这个有效光明与温度有关的光致发光,我们找到一个很好的协议与会计理论模型反演的乐队订购和phonon-assisted极化声子放松。”
找到开放获取这里的技术论文和一个新闻发布会上在这里。2022年5月出版。
山,H。Iorsh,我。,汉族,B。et al。光明黑暗的单层半导体通过强大的件轻松事耦合腔。Nat Commun13日,3001 (2022)。https://doi.org/10.1038/s41467 - 022 - 30645 - 5
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