优化石墨烯的生长和转移过程(剑桥,亚琛工业)


技术论文题为“在地图上把高指数铜高收益,Dry-Transferred CVD石墨烯”是由剑桥大学的研究人员发表,亚琛工业大学,国家材料科学研究所。文摘:“可靠、清洁技术转让和接口的二维材料层和它们的增长同样重要。把两个在一起仍然是ch……»阅读更多

砷化镓纳米线的高电子迁移率


文摘:“基于半导体纳米线晶体管概念保证高绩效,降低能源消耗和更好的可积性在纳米尺寸的各种平台。关于内在纳米线的电子传输特性,相对较高的流动值接近散装晶体只取得了核/壳异质结构,在电…»阅读更多

电力/性能:12月23日


高迁移率晶体管特拉华大学的工程师们创造了一个高电子迁移率晶体管,放大和控制电流的设备,使用氮化镓(GaN)与铟氮化铝硅衬底上的障碍。在设备的类型、团队说他们的晶体管有创纪录的属性,包括纪录低点栅泄漏电流……»阅读更多

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