文摘:
“基于半导体纳米线的晶体管概念有望在纳米尺度的各种平台上实现高性能、低能耗和更好的可集成性。关于纳米线中电子的固有输运特性，只有在核/壳层异质结构中才能获得接近块状晶体的相对较高的迁移率值，其中电子在空间上被限制在核内。在这里，证明了晶格不匹配的核心/壳层纳米线中的应变可以影响电子的有效质量，从而提高它们的迁移率到不同的水平。具体来说，在室温下测量时，具有厚砷化铟铝壳的纳米线的流体静力拉伸应变砷化镓芯内的电子表现出比等效的未应变纳米线或大块晶体高30 - 50%的迁移率值。随着电子迁移率的增强，应变砷化镓纳米线成为推动晶体管技术发展的独特手段。”
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Balaghi, L.， Shan, S.， Fotev, I。et al。应变砷化镓纳米线的高电子迁移率。Nat Commun12,6642(2021)。
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