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标签:晶体管

栅极长度低于1nm的垂直MoS2晶体管
通过技术文件链接- 2022年3月15日-意见:0

“超尺度晶体管是下一代电子器件发展的热点。虽然已经报道了原子薄二硫化钼(MoS2)晶体管，但制造栅极长度低于1nm的器件一直具有挑战性。在这里，我们展示了具有原子薄通道和物理栅极长度低于1纳米的侧壁MoS2晶体管……»阅读更多

金属碳纳米管中半导体纳米通道的热机械手性改变
通过技术文件链接- 2021年12月23日-意见:0

摘要:“碳纳米管具有螺旋结构，其中手性决定了它们是金属的还是半导体的。利用原位透射电子显微镜，我们通过加热和机械应变来改变局部手性，从而控制单个单壁碳纳米管的电子性质。一种向较大手性角区域转变的趋势。»阅读更多

应变砷化镓纳米线的高电子迁移率
通过技术文件链接- 2021年12月21日-意见:0

摘要:“基于半导体纳米线的晶体管概念有望在纳米尺度的各种平台上实现高性能、低能耗和更好的可集成性。关于纳米线中电子的固有输运特性，只有在核/壳异质结构中才获得了接近块状晶体的相对较高的迁移率值，其中电…»阅读更多

铁电半导体场效应晶体管
通过技术文件链接- 2019年12月31日-评论:0

摘要:“铁电场效应晶体管采用铁电材料作为栅极绝缘体，利用器件的通道电导可以检测其极化状态。因此，这些器件有可能用于非易失性存储器技术，但它们的保留时间短，这限制了它们更广泛的应用。在这里，我们报道了一个铁电扫描。»阅读更多

哪里需要技术突破
通过马克LaPedus- 2019年12月23日-评论

经过多年的延迟，极紫外(EUV)光刻技术终于在7nm逻辑节点上投入生产，5nm的逻辑节点正在工作中。下一代光刻技术EUV无疑将帮助芯片制造商迁移到下一个节点。但EUV并不能解决所有问题。它也没有解决半导体行业的所有挑战。当然不是。当然，这个行业需要……»阅读更多

功率/性能位:6月18日
通过杰西·艾伦- 2019年6月18日-评论:0

△多值逻辑晶体管:美国德克萨斯大学达拉斯分校、汉阳大学、光州科学技术研究院、延世大学、国民大学、蔚山科学技术研究院等研究人员开发出了能够存储0 ~ 1之间值的晶体管。这样的多值逻辑晶体管将允许更多的操作……»阅读更多

生产时间:7月8日
通过马克LaPedus- 2014年7月8日-评论

在旧金山举行的Semicon West贸易展上，英特尔宣布已与松下LSI事业部达成代工协议。英特尔的定制代工业务将使用英特尔的14nm低功耗制造工艺制造未来的松下系统级芯片(soc)。英特尔的低功耗工艺将是其通用14nm工艺的衍生产品。»阅读更多

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