文摘
“Ultra-scaled晶体管的发展感兴趣的新一代电子设备。虽然自动薄二硫化钼(金属氧化物半导体2)晶体管已报告,设备的制造与门的长度小于1海里一直具有挑战性。这里我们展示侧壁金属氧化物半导体2晶体管自动薄信道和物理门使用的边缘长度低于纳米石墨烯层栅电极。该方法使用大面积石墨烯和金属氧化物半导体2电影增加了化学蒸汽沉积地层的制造晶体管2英寸晶片。这些设备开/关比率1.02×10512月和阈下摆动值下降到117 mV1。仿真结果表明,金属氧化物半导体2地层有效通道长度方法0.34 nm的状态和4.54 nm的状态。这项工作可以促进摩尔定律的按比例缩小晶体管下一代电子产品。”
找到技术论文链接在这里。2022年3月出版。
吴,F。田,H。,沈,y . et al .垂直二硫化钼晶体管与sub-1-nm门的长度。大自然603年,259 - 264 (2022)。https://doi.org/10.1038/s41586 - 021 - 04323 - 3。
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