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标签:建设监理

基于2 d Memtransistors硬件平台
通过技术论文链接10月- 15,2022 -评论:0

一个新的技术论文题为“硬件实现贝叶斯网络的基于二维memtransistors”来自宾夕法尼亚州立大学的研究人员。“在这项工作中,我们证明硬件实现十亿(贝叶斯网络)使用单片memtransistor技术基于二维(2 d)半导体单层二硫化钼等。首先,我们通过实验演示一瞧……»阅读更多

热扫描探针光刻
通过技术论文链接10月- 13,2022 -评论:0

新技术论文题为“边缘接触二硫化钼晶体管制造使用热扫描探针光刻技术”研究人员发表的洛桑联邦理工(EPFL)。“热扫描探针光刻(t-SPL)是一个温和的选择通常使用电子束光刻制造这些设备避免使用电子,这是众所周知的…»阅读更多

可伸缩的方法来制造记忆电阻阵列晶片规模
通过技术论文链接- 06年6月,2022 -评论:0

新技术论文题为“圆片规模solution-processed 2 d材料模拟电阻存储器阵列基于内存的计算”来自新加坡国立大学的研究人员和高性能计算研究所、新加坡。抽象”实现高密度和可靠的基于二维半导体电阻随机存取记忆是至关重要的对他们的发展……»阅读更多

垂直二硫化钼晶体管sub-1-nm门的长度
通过技术论文链接3月- 15,2022 -评论:0

抽象”Ultra-scaled晶体管的发展感兴趣的新一代电子设备。虽然自动薄二硫化钼(监理)晶体管已报告,设备的制造与门的长度小于1海里一直具有挑战性。这里我们展示边墙二硫化钼晶体管自动薄信道和物理门长度低于海里……»阅读更多

确定的主要组件接触电阻自动薄半导体
通过技术论文链接- 08年3月,2022 -评论:0

抽象”实现良好的电气接触是实现设备的主要挑战之一,基于自动薄的二维(2 d)半导体。几项研究已经检查了这个障碍,但普遍理解的接触电阻和一个潜在的方法来减少目前缺乏。在这个工作我们暴露的缺点经典接触抗拒……»阅读更多

零偏压基于MoS功率检波器电路2场效应晶体管晶片规模灵活的基质
通过技术论文链接- 08年3月,2022 -评论:0

文摘:“我们证明了设计、制造和表征的圆片规模,零偏压电源探测器基于二维二硫化钼场效应晶体管(fet)。二硫化钼场效应晶体管的制造使用圆片规模过程μm厚8日聚酰亚胺薄膜,这在原则上是柔性衬底上。两个CVD-MoS2表的表演,种植不同的过程和showi……»阅读更多

基于过渡金属dichalcogenides高性能柔性纳米晶体管
通过技术论文链接8月24日,2021 -评论:0

看报纸。6月17日,2021年出版,电子性质。抽象的二维(2 d)半导体过渡金属dichalcogenides可以用于构建高性能的灵活的电子产品。然而,灵活的场效应晶体管(fet)基于这样的材料通常是用频道制作的长度在微米尺度,没有受益于短沟道等优点…»阅读更多

电力/性能:8月24日
通过杰西·艾伦8月24日,2021 -评论:0

低功耗智能电子产品和制造技术中心工程师在瑞士(CSEM)边缘AI的SoC设计的应用程序可以运行在太阳能或一个小电池。的ASIC芯片SoC由RISC-V处理器开发CSEM连同两个紧密耦合的机器学习加速器:一个用于人脸检测,例如,一个用于分类。第一个是本…»阅读更多

电力/性能:12月7日
通过杰西·艾伦- 07年12月,2020 -评论:0

Logic-in-memory与监理工程师在洛桑联邦理工(EPFL)建立Logic-in-memory设备使用二硫化钼(监理)作为通道材料。二硫化钼是一个three-atom-thick 2 d和优秀的半导体材料。新芯片基于浮栅场效应晶体管(FGFETs),可以长时间保持电荷。二硫化钼尤其se……»阅读更多

电力/性能:4月25日
通过杰西·艾伦- 4月25日,2017 -评论:0

热二极管布拉斯加-林肯大学的工程师发明了一种nano-thermal-mechanical设备,或热二极管,它使用热作为替代能源,将允许在超高温度计算。“如果你仔细想想,无论你做什么,电你还应该能够与热量,因为他们在许多方面是相似的,”说Sidy Ndao, assistan……»阅读更多

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