亚琛工业大学的科学家,AMO GmbH德国爱思强公司股价SE,后续演示了基于二硫化钼(MoS功率检测器2),在零偏压。
文摘:
“我们展示的设计、制造、和圆片规模特征,零偏压电源探测器基于二维金属氧化物半导体2场效应晶体管(fet)。的金属氧化物半导体2场效应晶体管制造使用圆片规模过程μm厚8日聚酰亚胺薄膜,这在原则上是柔性衬底上。两个CVD-MoS的表演2床单,种植不同的过程和显示不同的厚度,从单一的设备制造和分析和比较电路级描述步骤。功率检波器原型利用晶体管的非线性高于截止频率的设备。该探测器设计采用晶体管模型基于测量结果。制作的电路操作在ku波段12到18个GHz,证明了电压响应率的45 V / W118岁GHz的单层金属氧化物半导体2和104 V / W116岁GHz的多层金属氧化物半导体2没有应用,实现直流偏压。他们是表现最佳的功率检测器在柔性衬底上制作报告。测量动态范围超过30 dB优于硅等半导体技术互补金属氧化物半导体(CMOS)电路和砷化镓肖特基二极管。”
找到开放获取技术论文链接在这里。2022年1月出版。
Reato,厄洛斯&帕拉西奥斯Paula & Uzlu Burkay &曾默罕默德& Grundmann安妮卡& Wang(&施耐德,丹尼尔& Wang振兴& Heuken迈克尔&卡利什Holger & Vescan安德烈•& Radenovic亚历山德拉&克义斯Andras & Neumaier丹尼尔&暗线,雷纳托&让我最大。(2022)。基于金属氧化物半导体零偏置功率检测器电路2场效应晶体管晶片规模灵活的基质。
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