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芯片行业技术论文综述:10月25日


新的技术论文增加到半导体工程图书馆本周。[table id=59 /]»阅读更多

硅片尺度工具转移石墨烯


亚琛工业大学、AMO GmbH、Infineon Technologies、Protemics GmbH和Advantest Europe的研究人员发表了一篇题为“基于半导体行业要求的石墨烯晶圆级转移技术评估”的新技术论文。摘要(部分):“石墨烯是未来电子应用的一个有前途的候选者。制造石墨烯基电极…»阅读更多

技术论文综述:9月6日


新的技术论文增加到半导体工程图书馆本周。[table id=49 /]半导体工程正在建立这个研究论文库。请发送建议(通过下面的评论部分),告诉我们你还想加入什么。如果你有研究论文,你试图推广,我们将审查他们,看看他们是否适合…»阅读更多

EUV掩模的粒子去除


这篇题为“基于afm的Hamaker常数测定与盲尖重建”的技术论文刚刚由ASML,亚琛工业大学和AMO GmbH的研究人员发表。该研究报告了一种真空afm去除EUV掩模颗粒的方法。在这里找到技术文件。2022年8月出版。Ku, B., van de Wetering, F., Bolten, J., Stel, B., van de K…»阅读更多

技术论文综述:6月8日


新的技术论文增加到半导体工程图书馆本周。[table id=32 /]半导体工程正在建立这个研究论文库。请发送建议(通过下面的评论部分),告诉我们你还想加入什么。如果你有研究论文,你想推广,我们会审查他们,看看他们是否是一个…»阅读更多

费米能级调谐提高非晶栅极氧化物二维晶体管的器件稳定性


新的技术论文题为“通过费米级调谐提高二维晶体管非晶栅极氧化物的稳定性”,来自微电子研究所,维也纳,AMO GmbH,伍帕塔尔大学和亚琛工业大学的研究人员。“基于二维半导体的电子器件的电稳定性受到限制,因为载流子起源于…»阅读更多

基于MoS的零偏置功率检测器电路2晶圆级柔性基板上的场效应晶体管


摘要:“我们展示了基于二维MoS2场效应晶体管(fet)的晶圆级零偏功率探测器的设计、制造和表征。采用8 μm厚的聚酰亚胺薄膜作为柔性衬底,采用晶圆尺度工艺制备了MoS2 fet。对两种不同生长工艺的CVD-MoS2片材的性能进行了研究。»阅读更多

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