M3D的核心和缓存层次结构;dram中PIM;射频收发器盗版;半导体的缺陷;短路状态下的非挥发性电化学RAM;电触觉系统;光学互联;石墨烯转移
半导体工程的新技术论文图书馆这个星期。
| 技术论文 | 研究机构 |
|---|---|
| RevaMp3D:为具有单块集成逻辑和内存的系统构建处理器核心和缓存层次结构 | ETH Zürich, KMUTNB, NTUA和多伦多大学 |
| 采用标准内存接口实现全组In-DRAM PIM性能:内存-计算解耦 | 高丽大学 |
| 短路条件下的非易失性电化学随机存取存储器 | 密歇根大学和桑迪亚国家实验室 |
| 射频收发器的反盗版设计 | 索邦大学(法国) |
| 用于CMOS片上集成的多晶硅PhC腔 | 廷德尔国家研究所，明斯特理工大学，和Université格勒诺布尔阿尔卑斯，CEA, LETI |
| 基于半导体工业要求的石墨烯晶圆级转移技术评估 | 亚琛工业大学，AMO GmbH, Infineon Technologies, Protemics GmbH，和Advantest Europe |
| 在超导量子计算机上模拟基态和动态量子相变 | 伦敦纳米技术中心，伦敦大学学院，马萨诸塞大学，谷歌量子人工智能 |
| 超分辨率穿戴式电触觉渲染系统 | 香港城市大学与腾讯科技的机器人X实验室 |
| 半导体缺陷分割中主动学习的探索 | 新加坡科学、技术和研究局(A*STAR) |
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