一篇题为“CMOS片上集成的多晶硅PhC腔”的新技术论文由廷德尔国家研究所、明斯特理工大学和Université格勒诺布尔阿尔卑斯，CEA, LETI的研究人员发表。
“在这项工作中，我们提出了一种片上2D和3D光子学集成解决方案，与使用沉积多晶硅(poly:Si)用于光学互连应用的前端线集成(FEOL)兼容。这里讨论了在大块硅片上沉积硅集成的所有加工步骤和配置。此外，还展示了沉积硅高q光子晶体(PhC)谐振器的结果，证明了在下一代2D和3D集成光学互连中使用基于这种材料的光学谐振器的可能性。”
找到开放获取这里是技术论文。．2022年10月出版。
Iadanza, S.， Devarapu, G.C.R, Blake, A.等。用于CMOS片上集成的多晶硅PhC腔。科学报告12,17097(2022)。https://doi.org/10.1038/s41598 - 022 - 21578 - 6。权利和权限在这里。
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