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向小芯片进军


在最先进的工艺节点上开发单片芯片的时代正在迅速缩短。几乎所有在设计前沿工作的人都在寻找使用离散异构组件的某种类型的高级封装。现在的挑战是如何将整个芯片行业转变为这种分散的模式。这需要时间,精力,以及大量的现实。»阅读更多

芯片行业技术论文综述:10月25日


新的技术论文增加到半导体工程图书馆本周。[table id=59 /]»阅读更多

新一代晶体管有什么不同


经过近十年的发展和五个主要节点,以及大量的半节点,半导体制造业将开始从finfet过渡到3nm技术节点的全能堆叠纳米片晶体管架构。相对于finfet,纳米片晶体管通过在相同的电路占地面积内增加通道宽度来提供更大的驱动电流。gate-all-aroun……»阅读更多

用于光学互连应用的沉积多晶硅片上2D/3D光子集成解决方案


一篇题为“CMOS片上集成的多晶硅PhC腔”的新技术论文由廷德尔国家研究所、明斯特理工大学和Université格勒诺布尔阿尔卑斯,CEA, LETI的研究人员发表。“在这项工作中,我们提出了一种芯片上的2D和3D光子学集成解决方案,与前端线集成(FEOL)兼容,使用沉积多晶…»阅读更多

芯片行业技术论文综述:10月4日


新的技术论文增加到半导体工程图书馆本周。[table id=55 /]半导体工程正在建立这个研究论文库。请发送建议(通过下面的评论部分),告诉我们你还想加入什么。如果你有想要推广的研究论文,我们会审查它们,看看它们是否适合……»阅读更多

自适应记忆硬件


苏黎世大学、苏黎世联邦理工学院(ETH Zurich)、Université格勒诺布尔阿尔卑斯(Grenoble Alpes)、CEA、Leti和Toshiba的研究人员刚刚发表了一篇题为“用于序列学习的非同质记忆硬件的自组织”的新技术论文。“我们设计并实验演示了一种自适应硬件架构记忆自组织峰值循环神经网络(MEMSORN)。MEMSORN incorp……»阅读更多

在天然硅金属氧化物半导体器件中静电约束的单孔自旋轨道量子比特


一篇题为“在天然硅中增强相干性的单孔自旋”的新技术论文由Université格勒诺布尔阿尔卑斯、CEA、LETI和CNRS的研究人员发表。摘要:“基于自旋轨道状态的半导体自旋量子比特对电场激励有响应,允许实现实用、快速和潜在可扩展的量子比特控制。然而,自旋电磁化率…»阅读更多

混合债券进入快车道


业界对I/O密度和芯片(尤其是逻辑和高速缓存存储器)之间更快连接的不可抑制的渴望,正在将系统设计转变为包含3D架构,而混合键合已成为这一方程式中的一个重要组成部分。混合键合涉及芯片到晶圆或晶圆到晶圆的铜垫片连接,这些铜垫片携带电源和信号,以及周围的双…»阅读更多

技术论文综述:6月21日


新的技术论文增加到半导体工程图书馆本周。[table id=34 /]半导体工程正在建立这个研究论文库。请发送建议(通过下面的评论部分),告诉我们你还想加入什么。如果你有研究论文,你试图推广,我们将审查他们,看看他们是否适合…»阅读更多

通过将pMUTs耦合到基于神经形态rram的计算映射的对象定位的端到端系统


新的研究论文题为“使用电阻记忆和超声波换能器的神经形态物体定位”,来自CEA、LETI、Université格勒诺布尔阿尔卑斯等的研究人员。“真实世界的感官处理应用需要紧凑、低延迟和低功耗的计算系统。通过其内存事件驱动计算能力,混合记忆-互补…»阅读更多

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