一篇题为“在天然硅中增强相干性的单孔自旋”的新技术论文由Université格勒诺布尔阿尔卑斯、CEA、LETI和CNRS的研究人员发表。
摘要：
“基于自旋轨道状态的半导体自旋量子比特对电场激励有响应，可以实现实用、快速和潜在可扩展的量子比特控制。然而，自旋电敏感性使这些量子比特通常容易受到电噪声的影响，这限制了它们的相干时间。在这里，我们报道了一个自旋轨道量子比特组成的一个单孔静电限制在一个天然硅金属氧化物半导体器件。通过改变磁场方向，我们揭示了运行甜点的存在，其中电荷噪声的影响最小化，同时保持有效的电偶极子自旋控制。我们相应地观察到哈恩回波相干时间延长至88 μs，超过了空穴自旋量子比特的现有报告值的数量级，并接近于同位素纯化硅中合成自旋轨道耦合的电子自旋量子比特的最先进水平。我们的发现增强了硅基自旋量子比特用于可扩展量子信息处理的前景。”
找到这里是技术文件．2022年9月出版。
皮奥特，N.，布伦，B.，施密特，V.等人。在天然硅中具有增强相干性的单孔自旋。Nanotechnol Nat。(2022)。https://doi.org/10.1038/s41565 - 022 - 01196 - z。
创作共用许可协议，
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