标签:廷德尔研究所

研究部分:4月4日
通过杰西·艾伦- 04年4月,2023 -评论:0

Wet-like等离子体蚀刻名古屋大学的研究人员和日立公司开发出一种新的蚀刻方法称为Wet-like等离子体刻蚀相结合的选择性湿蚀刻干蚀刻的可控性。研究人员说,这项技术将有可能腐蚀金属碳化物等复杂的结构组成(Ti)钛和铝(Al),如抽搐或TiAlC, wh……»阅读更多

芯片产业的技术论文摘要:3月28日
通过琳达·克里斯坦森- 3月28日,2023 -评论:0

新技术论文最近添加到半导体工程图书馆:[表id = 89 /]如果你有研究论文你努力推广,我们将检查它们是否适合我们的全球观众。至少,论文需要研究和记录,与半导体相关的生态系统,和自由市场的偏见。为我们没有成本p…»阅读更多

硅光子学集成MEMS与标准化技术
通过技术论文链接- - - 3月23日,2023 -评论:0

一个新的技术论文发表的题为“硅光子集成MEMS”人员EPFL,悉尼大学,CSEM, k皇家理工学院,根特大学Imec, Tyndall国立研究所。抽象的摘录”在这里,我们介绍一个硅光子MEMS平台组成的高性能nano-opto-electromechanical设备完全集成与standar……»阅读更多

芯片产业的技术论文摘要:10月25日
通过琳达·克里斯坦森- 10月25日,2022 -评论:0

新的技术论文添加到半导体工程本周的图书馆。(表id = 59 /)»阅读更多

芯片上的2 d / 3 d光子集成解决方案使用沉积多晶硅光学互联的应用程序
通过技术论文链接- 10月18日,2022 -评论:0

新技术论文题为“多晶硅PhC蛀牙的CMOS芯片上集成”被Tyndall国立研究所的研究人员发表,明斯特技术大学、格勒诺布尔大学和阿尔卑斯,东航,LETI。“在这项工作中,我们提出一个芯片上的2 d和3 d光子集成解决方案兼容线集成的前端(FEOL)使用沉积polycrystalli……»阅读更多

制造业:9月12日
通过马克LaPedus9月- 12,2017 -评论:0

失效分析为2.5 d / 3 d芯片Imec已经开发了一种新的失效分析方法定位在2.5 d / 3 d互连故障堆栈死在矽通过(tsv)。这种技术被称为LICA,代表光致电容变更。这地址为2.5 d / 3 d设备可靠性问题以非破坏性和具有成本效益的方式在晶圆级别。的年代……»阅读更多

制造业:3月8日
通过马克LaPedus- 08年3月,2016 -评论:1

5 g mmWave财团在手机业务放缓,市场升温,也许下一个大事件wireless-5th代移动网络或5 g。运营商,芯片制造商和电信设备供应商都急于得到一块5 g的行动,这是当前无线标准的后续称为4 g或长期演进(LTE)。射频(RF……»阅读更多

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