Wet-like等离子体蚀刻;硅光子MEMS芯片;神经形态为手写识别设备。
名古屋大学的研究人员和日立公司开发出一种新的蚀刻方法调用wet-like等离子体蚀刻结合湿式蚀刻的选择性与干蚀刻的可控性。
研究人员说,这项技术将有可能腐蚀金属碳化物等复杂的结构组成(Ti)钛和铝(Al),如抽搐或TiAlC,可以用作金属盖茨gate-all-around晶体管。
TiAlC是一种三元材料具有高硬度、高耐磨性、高熔点,高电化学性能。通常,它是由湿蚀刻蚀刻使用过氧化氢液体混合物。然而,这个过程需要长时间腐蚀完全删除目标金属。它还可能化学破坏金属门。另外,可以创建使用的液体表面张力在原子层面,破坏重要的功能。
金属碳化物的新干蚀刻法使用浮动wire-assisted蒸气等离子体的氩气混合蒸汽hydroxide-based铵混合物在中等压力的来源。在电路中,等离子体是通过添加能量生成气体,所以额外的浮线可以提高高密度等离子体的产生。自这一过程产生活性自由基的H, NH,和氢氧化铵的哦气体(摘要),治疗表面TiAlC表面修改后可以删除TiAlC电影。
“这浮动wire-assisted等离子技术有望用于高度的选择性腐蚀金属和金属化合物用于半导体器件制造、“Kenji Ishikawa说,名古屋大学教授。“金属碳化物有前途的栅电极材料先进硅半导体,和我们联合研究小组是世界上第一个成功的非硅半导体材料的化学干蚀刻。这一成就是很重要的对于原子层蚀刻技术的发展,到目前为止已难以实现。”
悉尼大学的研究人员,洛桑联邦理工(EPFL), k皇家理工学院,根特大学Imec和廷德尔研究所开发相结合的一种方式光学和微电子机械系统(MEMS)芯片使用半导体制造技术。
“这是第一次nano-electro-mechanical致动器集成在一个标准的硅光子学技术平台,”尼尔斯·庸医说,航空航天学院的副教授,在悉尼大学机械和机械电子工程。“这是迈向成熟的重要一步大规模、可靠的光子电路与微机电系统集成。这项技术正在准备大批量生产,与潜在的应用在3 d成像自动车辆或新的光子辅助计算。”
光子MEMS紧凑,耗电很少,都快,支持广泛的光载波信号,低光学损耗,根据庸医。”技术将推动知识领域的微纳米加工,光学和半导体,具有广泛的应用。这些包括束流控制激光雷达三维传感的自主车辆,可编程光子芯片,或者在量子光学信息处理”。
韩国材料科学研究所的研究人员,来自韩国忠北国立大学,和釜山国立大学开发出一种高密度、高可靠性神经形态半导体设备通过结合二维二硫化钼(监理)与硅酸锂(缩孔)固态电解质薄膜。
小于100纳米的锂薄膜是用真空溅射沉积方法创建。晶体管式设备是硅片衬底上制作的。从外部电场时,锂薄膜可逆锂离子的移动,这样可以精确控制通道的电导率。
笔迹的研究团队实现了一个人工神经网络模式识别使用这种突触装置,它执行的成功率约为96.77%。
“我们的下一代神经形态半导体器件不需要CPU和内存,”研究人员指出。“它可以同时处理和储存信息和学习和识别图像,如手写模式。它将适用于各种低功耗世界级的神经形态等人工智能设备的硬件系统、触觉设备和视觉传感器”。
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