一个新的技术论文题为“RowHammer HBM2 DRAM芯片”的实验分析由苏黎世联邦理工学院的研究人员发表和贝鲁特美国大学。
文摘:
“RowHammer (RH)是一个重要的和不断恶化的安全,安全,和可靠性问题可以利用现代的DRAM芯片打破孤立记忆。因此,重要的是要理解真正的DRAM芯片的RH特征。不幸的是,没有之前工作广泛研究现代三维叠加的RH脆弱性高带宽内存(HBM)芯片,这是常用的现代gpu。
在这项工作中,我们实验描述的RH脆弱性HBM2 DRAM芯片。我们表明:1)不同三维叠加渠道HBM2记忆明显地表现出不同水平的RH脆弱性(不同的比特误码率高达79%),2)DRAM的DRAM银行行(行地址)最高的展览RH bitflips明显少于其他行,和3)现代HBM2 DRAM芯片实现秘密RH防御所引发的周期性刷新操作。我们描述我们的观察对未来的影响RH攻击和防御和讨论未来的工作理解三维叠加RH的记忆。”
找到这里的技术论文。2023年5月出版(预印本)。
Olgun、Ataberk Majd Osseiran, Yahya Tuğrul, Haocong罗,史蒂夫•赖恩表示将核技术的香肠,胡安·戈麦斯Luna,偏向Mutlu。“一个在HBM2 RowHammer DRAM芯片的实验分析。“arXiv预印本arXiv: 2305.17918 (2023)。
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