技术论文题为“原子层沉积纳米氧化物半导体薄膜晶体管:回顾和展望”是汉阳大学的研究人员发表的。
“综述,介绍ALD-oxide半导体,我们提供:(a)的简短的总结历史和ALD-based氧化物半导体工业的重要性,(b)讨论的好处为氧化物半导体制程沉积(原位成分控制在垂直分布/垂直结构工程/化学反应和电影属性/绝缘子和接口工程),和(c)的具有挑战性的问题的解释扩展氧化物半导体和退化为工业应用,”州。
找到这里的技术论文。2023年2月出版。
金、Hye-Mi Dong-Gyu Kim Yoon-Seo Kim Minseok Kim和Jin-Seong公园。“原子层沉积纳米氧化物半导体薄膜晶体管:回顾和展望。“国际期刊的极端制造(2023)。DOI 10.1088 / 2631 - 7990 / acb46d。
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