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标签:汉阳大学

芯片行业技术论文综述:11月21日
通过琳达·克里斯坦森- 2022年11月21日-评论:0

新的技术论文增加到半导体工程图书馆本周。[table id=65 /]»阅读更多

高性能存储器:具有正交偏振器的新型横向双磁隧道结(MTJ)
通过技术文件链接- 2022年11月17日-评论:0

汉阳大学的研究人员发表了一篇名为“用于高性能磁阻存储器的具有正交偏振器的横向双磁隧道结装置”的新技术论文。在这里找到技术文件。2022年11月出版。Sin, S, Oh, S.用于高性能磁阻存储器的具有正交偏振器的横向双磁隧道结装置....»阅读更多

技术论文综述:4月5日
通过琳达·克里斯坦森- 2022年4月5日-评论:0

神经形态芯片、晶体管缺陷检测、量子、薄膜、BEV移动充电、铜线键合、LrWPAN、电池和超导是过去一周的技术论文。他们还指出，政府投资水平不断上升，学校之间的合作历来没有密切合作，包括一个涉及不同大陆的学校. ...»阅读更多

EUV光刻用薄膜电阻率和发射率的研究
通过技术文件链接- 2022年4月1日-评论:0

汉阳大学和德克萨斯大学达拉斯分校的新技术论文。“薄膜是一种薄膜结构，可以保护极紫外(EUV)口罩在曝光过程中不受污染。然而，由于EUV光子的吸收，其有限的透光率会引起不必要的加热。通过改善EUV膜的稳定性，可以避免EUV膜的破裂。»阅读更多

为高na EUV做准备
通过马克LaPedus- 2021年10月21日-评论

半导体行业正在全速发展高na EUV，但提出这种下一代光刻系统和相关基础设施仍然是一项艰巨而昂贵的任务。阿斯麦公司开发其高数值孔径(高na) EUV光刻线已有一段时间了。基本上，高na EUV扫描仪是当今EUV光刻系统的后续…»阅读更多

制造比特:10月12日
通过马克LaPedus- 2020年10月12日-评论

汉阳大学发表了一篇论文，描述了一种用于极紫外(EUV)光刻的新型二硅化钼(MoSi2)薄膜。在28nm厚度的MoSi2膜上，EUV光刻的透光率为89.33%。薄膜技术仍处于研发阶段。MoSi2是钼的硅化物，是一种耐火材料。»阅读更多

生产时间:8月10日
通过马克LaPedus- 2020年8月10日-评论:0

台积电为极紫外(EUV)光刻中使用的掩模开发了一种新的干洗技术，此举似乎解决了晶圆厂的一些主要问题。台积电和三星已经在生产EUV光刻技术的先进节点，但在掩模和其他技术方面仍存在一些挑战。采用13.5nm波长，EUV…»阅读更多

功率/性能位:6月18日
通过杰西·艾伦- 2019年6月18日-评论:0

△多值逻辑晶体管:美国德克萨斯大学达拉斯分校、汉阳大学、光州科学技术研究院、延世大学、国民大学、蔚山科学技术研究院等研究人员开发出了能够存储0 ~ 1之间值的晶体管。这样的多值逻辑晶体管将允许更多的操作……»阅读更多

电源/性能位:2月6日
通过杰西·艾伦- 2018年2月6日-评论:0

加州大学圣地亚哥分校的纳米工程师开发了一种节能的回收工艺，可以从废弃的锂离子电池中回收使用过的阴极。该过程包括从废旧电池中收集降解的阴极颗粒，然后将其煮沸和热处理。在用阴极建造的新电池中，充电存储容量、充电时间和充电功率均可提高。»阅读更多

电源/性能位:9月5日
通过杰西·艾伦- 2017年9月5日-评论:0

德克萨斯大学达拉斯分校和韩国汉阳大学的研究人员开发了一种碳纳米管纱线，在拉伸或扭曲时可以发电。所谓的“捻丝管”纱线的可能应用包括从海浪运动或温度波动中获取能量。当把这些纱线缝进衬衫里时，这些纱线就成了衬衣的拉链。»阅读更多

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