最近的技术论文包括神经形态芯片、晶体管缺陷检测、薄膜、BEV移动充电、铜线键合、LrWPAN、电池和超导。
神经形态芯片、晶体管缺陷检测、量子、薄膜、BEV移动充电、铜线键合、LrWPAN、电池和超导是过去一周的技术论文。他们还指出，政府投资水平正在上升，学校之间的合作历来没有密切合作，包括涉及不同大洲的学校。
来自NIST、劳伦斯利弗莫尔国家实验室、南加州大学维特比工程学院、NAIST、QuTech、代尔夫特理工大学、劳伦斯伯克利国家实验室、佛罗里达大学、蒙斯大学、利兹贝克特大学等的新研究。
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| 技术论文 | 研究机构 |
|---|---|
| 集成大规模集成电路和非晶金属氧化物半导体薄膜突触器件的神经形态芯片 | NAIST & Ryukoku大学 |
| NIST修改和改进用于检测晶体管缺陷的技术 | NIST |
| 基于工作负载、时钟频率和活动核数的分析能量模型，用于共享内存高性能计算应用 | 蒙斯大学(比利时)和联邦大学(巴西) |
| EUV光刻用薄膜电阻率和发射率的研究 | 汉阳大学、德克萨斯大学(达拉斯) |
| 通过在路上充电解决纯电动汽车的里程焦虑 | 佛罗里达大学 |
| 半导体封装铜线粘接腐蚀发生的综合因素研究 | 马来西亚国民大学，Nexperia |
| LrWPAN技术集成经纪系统 | 英国利兹贝克特大学 |
| 基于激发态神经网络量子分子动力学的铁电氧化物超快极化控制研究 | 南加州大学维特比工程学院 |
| 基于CMOS图像传感器的随机数生成新技术 | Thamirabharani工程学院，印度 |
| 原子-中尺度结合方法对氧化物固体电解质离子电导率的微观结构影响(电池) | 劳伦斯利弗莫尔国家实验室(LLNL)的科学家与旧金山州立大学和宾夕法尼亚州立大学合作。 |
| 高温超导关键量子相变的定量研究 | 由劳伦斯伯克利国家实验室和洛斯阿拉莫斯加州大学伯克利分校领导 |
| 自旋量子比特跨越表面编码阈值的量子逻辑 | 代尔夫特理工大学QuTech |
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